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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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數(shù)據(jù)顯示,上半年北方華創(chuàng)實現(xiàn)營收78.2億元-89.5億元,同比增長43.65%-64.41%,歸母凈利潤為16.7億元-19.3億元,比上年同期增長1...
芯聯(lián)集成與蔚來簽署碳化硅模塊生產(chǎn)供貨協(xié)議,助力蔚來全面升級120平臺
未來,蔚來計劃廣泛建設換電站并對全線車輛進行升級,實施1200V碳化硅功率模塊,滿足用戶對快速充電的需求,進一步降低里程和充電焦慮感。
9.3.6.2 負的柵極脈沖關(guān)斷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.3.6.2負的柵極脈沖關(guān)斷9.3.6關(guān)斷過程9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)...
2022-04-01 標簽:碳化硅 740 0
貿(mào)澤電子備貨Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)
貿(mào)澤備貨的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的擴展頻率范圍,并在13.75至14.5GHz的標準范圍內(nèi)實現(xiàn)55W的飽和輸出功率。
Jean-Marc Chery表示,2023年前九個月凈利較上年上揚11.1%,主要貢獻來自汽車產(chǎn)品和離散元件產(chǎn)品部以及微控制器和數(shù)位IC產(chǎn)品部兩個產(chǎn)品...
11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》
11.1電力電子系統(tǒng)的介紹第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPG...
2022-04-14 標簽:碳化硅 738 0
基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1應用于1.3kW服務器電源
如圖為1.3kW服務器電源電路框圖,主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成,輸出12V電壓;在PFC功率因數(shù)校正部分,...
意法半導體(簡稱ST)將于10月29日在中國深圳福田香格里拉酒店舉辦工業(yè)峰會2024。
綠色出行:英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)即將推出采用XHP? 2封裝的CoolSiC? MOSFET和.XT技術(shù)的功率半導體...
Q4凈利大漲66.4%!意法半導體將擴增碳化硅產(chǎn)能
意法半導體26日預估,截至2023年4月1日的今年一季度營收預測中間點將季減5.1%±350個基點至42.0億美元、年增長率相當于18.5%,毛利率預估...
SiCrystal與意法半導體新簽協(xié)議,擴大碳化硅襯底供應
羅姆與服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(簡稱ST)宣布,雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm(...
英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議
【 2023 年 02 月 09 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)...
作為技術(shù)應用最成熟的襯底材料,碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴大,能顯著提升續(xù)航能力與充電效率,并降低整車成本。
附錄C 常見SiC多型體主要物理性質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》
附錄C常見SiC多型體主要物理性質(zhì)附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A...
2022-05-09 標簽:碳化硅 731 0
飛锃半導體子公司獲香港創(chuàng)新基金資助,加速SiC技術(shù)研發(fā)
飛锃半導體近日宣布了一項重要進展,其香港子公司Alpha Power Solutions Hong Kong Limited成功獲得香港創(chuàng)新科技署創(chuàng)新及...
芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認證, 成功進入新能源汽車供應鏈!
近日,芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)(廣電計量)全套AEC-Q101車規(guī)...
2023-12-06 標簽:SiC碳化硅車規(guī)級芯片 730 0
SemiQ 600V SiC Diode Modules說明介紹
與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,SiC二極管模塊具有更快的開關(guān)速度、更低的反向恢復損耗和更高的工作溫度。SiC技術(shù)的發(fā)展推動了電力電子設備的能效提升和尺寸縮小。
科友半導體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)
科友半導體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月,科友半導體8英...
扭虧為盈,營收翻倍!2024年上半年碳化硅滲透速度有多快? 8月23日,國內(nèi)碳化硅襯底龍頭天岳先進發(fā)布了2024年半年報,上半年實現(xiàn)營業(yè)收入9.12 億...
2024-08-26 標簽:碳化硅 728 0
在剛剛結(jié)束的德國慕尼黑電子展(electronica Munich)上,PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款170...
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