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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 FP35R12N2T7_...

2025-03-16 標(biāo)簽：SiC pim 碳化硅 521 0

為何國(guó)產(chǎn)650V碳化硅MOSFET成為超結(jié)MOSFET的噩夢(mèng)

國(guó)產(chǎn)650V碳化硅（SiC）MOSFET之所以成為超結(jié)（Super Junction, SJ）MOSFET的“噩夢(mèng)”，主要源于其在性能、成本、應(yīng)用場(chǎng)景及...

2025-03-13 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 203 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...

2025-03-13 標(biāo)簽：氮化鎵 AC-DC 碳化硅 1545 0

碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件，在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技...

2025-03-13 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 碳化硅 682 0

全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)...

2025-03-13 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅 270 0

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其...

2025-03-12 標(biāo)簽：碳化硅 648 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

BMF240R12E2G3解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析一、效率提升：高頻、低損耗與高溫穩(wěn)定性低導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì) BMF240R...

2025-03-11 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能 PCS 361 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場(chǎng)調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段，其亂象的陣痛期預(yù)計(jì)將持續(xù)3年左右，行業(yè)出清需到2028年前后完成。

2025-04-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 277 0

中國(guó)制造2025：SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國(guó)產(chǎn)化

碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的典型成果，通過(guò) 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振，實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”...

2025-03-09 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 1266 0

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅（SiC）器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的元年，在于國(guó)產(chǎn)SiC（碳化硅）單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...

2025-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 711 0

東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備...

2025-03-06 標(biāo)簽：MOSFET 光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 1956 0

博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

近日，博世汽車電子中國(guó)區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模...

2025-03-06 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅博世 695 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容MPPT方案取代2000V器件兩電平升壓方案一、飛跨電容三電平技術(shù)的專利歸屬與特色 1. 專利歸屬：中國(guó)企業(yè)主導(dǎo)核心技術(shù)...

2025-03-06 標(biāo)簽：功率器件碳化硅飛跨電容 488 0

CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程，以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示，可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：? 一、從壟斷到突破：中國(guó)碳化硅材...

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士蘭微電子8英寸碳化硅項(xiàng)目封頂

近日，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（廈門(mén)士蘭集宏一期）正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場(chǎng)，海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國(guó)瑜，士蘭微電子...

2025-03-04 標(biāo)簽：士蘭微電子 SiC 碳化硅 609 0

納微半導(dǎo)體榮獲威睿公司“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”

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士蘭微廈門(mén) 8 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線（一期）封頂：力爭(zhēng)明年一季度投產(chǎn)

3 月 3 日消息，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子今日宣布，其投資 70 億元建設(shè)的廈門(mén)海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線（...

2025-03-03 標(biāo)簽：士蘭微功率器件碳化硅 579 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開(kāi)啟對(duì)超結(jié)MOSFET的替代浪潮

碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超結(jié)（SJ）MOSFET的趨勢(shì)分析及2025年對(duì)電源行業(yè)的影響一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...

2025-03-02 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 371 0

安意法合資工廠通線啟示：國(guó)產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

近日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線，預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn)，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚(yú)效應(yīng)，結(jié)合過(guò)去...

2025-03-01 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體碳化硅 558 0

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...

2025-03-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 521 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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