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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SK Siltron獲美政府投資,擴大碳化硅晶圓廠產(chǎn)能
令人矚目的是,SK Siltron近期獲得來自美國政府的總價值約7700萬美元的支持,其中包括投資補貼和稅收優(yōu)惠,這使得我們得以在下一階段投資密歇根州的...
? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆(ROHM)12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱,羅姆在福岡縣...
2022-11-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 785 0
萬年芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎
10月22日,2024全國第三代半導(dǎo)體大會暨最佳新銳企業(yè)獎頒獎典禮在蘇州隆重舉辦。這場備受矚目的行業(yè)盛會匯聚了眾多行業(yè)精英,共有30+位企業(yè)高管演講、5...
瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議
長達 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)?;a(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片,這將強化公司致力于從硅向...
習(xí)慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補給的燃油車車主們,難免會對新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時間和續(xù)航能力。然而,隨著充電技術(shù)的不斷提升,特...
聚焦強鏈補鏈,國基南方、55所持續(xù)推進新能源汽車用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺,率先在新...
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的...
11.3.5 混合動力和純電動汽車的電動機驅(qū)動∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
11.3.5混合動力和純電動汽車的電動機驅(qū)動11.3電動機驅(qū)動的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和...
納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證
納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFET...
2024-10-10 標(biāo)簽:電動汽車碳化硅納微半導(dǎo)體 774 0
目前,標(biāo)準(zhǔn)硅器件仍占電力電子市場的大部分。雖然許多公司正在開發(fā)新的電路拓?fù)湟蕴岣吖杵骷男?,尤其是三電平拓?fù)?,但新的碳化硅解決方案正在作為一種新的半導(dǎo)...
突破碳化硅(SiC)和超結(jié)電力技術(shù)的極限
PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韓國半導(dǎo)體器件公司,團隊在電力半導(dǎo)體行業(yè)擁有超過二十年的經(jīng)驗,他們專注于開發(fā)和生產(chǎn)先進的...
在3月17日的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上,比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺,推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片,核心三電全維升級,搭配全球首...
晶升股份預(yù)測明年下半年硅行業(yè)將調(diào)整收官
在產(chǎn)品層面上,對于碳化硅長晶爐,公司采用液相法可以在高溫條件下將碳化硅變成液體,這種方法更為直觀可見,并且有利于生產(chǎn)過程中的調(diào)控。不過,由于液相法仍處在...
2023-12-14 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)生產(chǎn)線碳化硅 770 0
Wolfspeed關(guān)閉6英寸碳化硅晶圓廠,德國建廠計劃延后
知名碳化硅晶圓和外延片制造商Wolfspeed近期宣布了一項戰(zhàn)略調(diào)整決策,決定關(guān)閉其位于美國北卡羅來納州達勒姆的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)設(shè)施,以應(yīng)對成本控制...
納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品,在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制,所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測試,100%抗雪崩能力測試。
制造硅太陽能電池的工業(yè)生產(chǎn)鏈中,濕化學(xué)應(yīng)用的質(zhì)量保證和過程控制變得越來越重要。為了克服基于操作員經(jīng)驗的工藝操作以及延長普通蝕刻槽的總操作時間,在線表征和...
Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)產(chǎn)品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL)封裝,可帶來卓越的斷...
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