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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢有哪些?
碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢有哪些? 碳化硅陶瓷是一種具有廣泛應(yīng)用潛力的材料,特別是在光纖領(lǐng)域。以下是碳化硅陶瓷在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢。 1. 高溫穩(wěn)定性:...
羅姆即將亮相2019 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2019年6月26至28日參加在上海世博展覽館舉辦的PCIM Asia 上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:2號...
在近日于深圳國際會展中心盛大舉行的PCIM Asia 2024展會上,愛仕特科技以其突破性創(chuàng)新震撼全場,正式發(fā)布了新一代超低電感LPD系列碳化硅功率模塊...
重慶高永將向三安集團(tuán)控股子公司三安電子增資100億元
根據(jù)三安集團(tuán)與重慶高永簽署的增資協(xié)議,重慶高永向三安電子增資的100億元,其中近1.2億元計入注冊資本,其余約98.8億元計入資本公積金。上述增資完成后...
碳化硅JBS二極管 結(jié)勢壘肖特基二極管 UIS前沿感性負(fù)載開關(guān)能力顯著:開關(guān)損耗降低60%
華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎(chǔ)的MOSFET和碳化硅JBS二極管(結(jié)勢壘肖特基二極管)。JBS是一種高性能的功率二極管,結(jié)合了肖特基二極管(SBD)和...
2024-09-26 標(biāo)簽:二極管負(fù)載開關(guān)UIS 835 0
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素。基本半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
美國加利福尼亞大學(xué)圣芭芭拉分校物理學(xué)家發(fā)現(xiàn),碳化硅中包含的晶格缺陷可以在量子力學(xué)水平被操控作為一種室溫下的量子比特來使用
環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)
環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明...
碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、碳化硅Schottky二...
浮思特自研(SiC Module)碳化硅功率模塊特性技術(shù)應(yīng)用
SiCModule,即碳化硅功率模塊,是一種利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基功率模塊相比,SiC模塊具有更高的熱導(dǎo)率、更高...
在全球電氣化、可再生能源和人工智能蓬勃發(fā)展的背景下,市場對高效能源轉(zhuǎn)換和管理技術(shù)的需求日益迫切。安森美半導(dǎo)體公司(onsemi)敏銳地捕捉到了這一市場趨...
羅姆旗下SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)
2024 年 4月22,中國 – 羅姆(東京證交所股票代碼: 6963) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroel...
2024-04-26 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體碳化硅 827 0
2024年,近七成半導(dǎo)體公司經(jīng)營業(yè)績回暖,在第三代半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇浪潮中,封測技術(shù)作為后摩爾時代的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),作用愈發(fā)凸顯。萬年芯憑借其在封裝測試領(lǐng)域夯...
12.1.3 碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
12.1.3碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管12.1微波器件第12章專用碳化硅器件及應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)...
中機(jī)新材與南砂晶圓達(dá)成戰(zhàn)略合作,涉足SiC晶圓研磨拋光領(lǐng)域
5月23日, 中機(jī)新材對外宣布與南砂晶圓達(dá)成戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。中機(jī)新材專注于高性能研磨拋光材料,尤其硬脆材料在先進(jìn)制造過程中的應(yīng)用,目前已在SiC晶圓研...
納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力
?英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)大并延伸多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議
2024 年 1 月 23 日,德國慕尼黑、美國北卡羅來納州達(dá)勒姆、中國上海市訊 – 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代...
近日,歐盟委員會正式批準(zhǔn)了芯片制造巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)在意大利西西里島卡塔尼亞的投資計劃。據(jù)悉,該公司將在政府支持下投...
2024-06-05 標(biāo)簽:芯片意法半導(dǎo)體碳化硅 825 0
CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開發(fā) 高功率密度碳化硅(SiC)逆變器
比利時蒙-圣吉貝爾/美國Bare–2022年6月23日– 高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布,公司已與NAC Group和Advance...
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