新能源東風(fēng)已至，碳化硅御風(fēng)而起

SiC 在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨特優(yōu)勢。耐高壓方面，SiC 阻抗更低，禁帶寬度更寬， 能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更好效率...

2022-11-14 標(biāo)簽：新能源碳化硅 680 0

采用Wolfspeed E-系列碳化硅MOSFET的電動汽車充電解決方案

電動交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司于近日宣布，將在 AMP 電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。

2022-11-14 標(biāo)簽：電動汽車DC-DC碳化硅 575 0

Wolfspeed SiC TOLL MOSFET榮獲2022年全球電子成就獎

Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對高性能電力電子應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計，適合企業(yè) / 服務(wù)器 / 通信電源、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電系統(tǒng)、電池...

2022-11-11 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 986 0

SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望！

碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫薙iC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景

2022-11-11 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1960 0

基本半導(dǎo)體榮獲中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎

11月4-7日，2022中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會及展覽會在廈門成功召開。在同期舉行的第八屆中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎頒獎儀...

2022-11-09 標(biāo)簽：DTS功率器件碳化硅 1306 0

Qorvo?與SK Siltron CSS宣布達成長期碳化硅供應(yīng)協(xié)議

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltr...

2022-11-09 標(biāo)簽：SiC碳化硅Qorvo 952 0

碳化硅功率器件的封裝關(guān)鍵技術(shù)及所面臨的挑戰(zhàn)和機遇

目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式，如圖 1 所示。該方式首先通過焊錫將芯片背部焊接在基板上，再通過金屬鍵合線引出正面電極...

2022-11-08 標(biāo)簽：BGASiC碳化硅 2280 0

森國科助力新能源領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展

2022年11月2日，一年一度的能源思享匯在蘇州盛大舉辦，來自新能源行業(yè)內(nèi)頂尖企業(yè)高管、專家學(xué)者及高端媒體代表等數(shù)百位嘉賓云集一堂，共話能源“熵減”，聚...

2022-11-07 標(biāo)簽：新能源功率器件碳化硅 808 0

碳化硅器件制造工藝與傳統(tǒng)硅基制造工藝有什么區(qū)別

碳化硅作為一種化合物半導(dǎo)體，在自然界中極其稀有，以礦物莫桑石的形式出現(xiàn)。目前世界上銷售的碳化硅幾乎都是人工合成的。碳化硅具有硬度高、熱導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定性好...

2022-11-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 5866 0

SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)！

碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論Si...

2022-11-04 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 984 0

芯片研發(fā)過程中的可靠性測試——碳化硅功率器件

作為高尖精的產(chǎn)品，芯片的可靠性測試貫徹始終，從設(shè)計到選材再到最后的出產(chǎn)，那研發(fā)過程中具體需要做哪些測試呢？金譽半導(dǎo)體帶大家了解一下。

2022-11-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 2141 0

瑤芯微完成數(shù)億元C輪融資，促進高端功率器件及碳化硅產(chǎn)品研發(fā)

近日，瑤芯微電子科技（上海）有限公司（以下簡稱“瑤芯微”）完成數(shù)億元C輪融資。本輪融資由盛石資本、同創(chuàng)偉業(yè)聯(lián)合領(lǐng)投，參與資本方包括基石資本、美的投資等，...

2022-11-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 1060 0

Wolfspeed將向捷豹路虎下一代電動車供應(yīng)SiC器件

Wolfspeed 先進碳化硅（SiC）技術(shù)將在汽車逆變器中重點采用，管理從電池到電機的功率傳輸。首批采用 Wolfspeed 先進碳化硅（SiC）技術(shù)...

2022-11-03 標(biāo)簽：逆變器碳化硅 882 0

電動汽車中的碳化硅半導(dǎo)體

今天開關(guān)的選擇多種多樣：IGBT 因其低傳導(dǎo)損耗而在非常高的功率下受到青睞，而 MOSFET 在中低功率下占主導(dǎo)地位，其快速開關(guān)可最大限度地減少相關(guān)組件...

2022-11-03 標(biāo)簽：電動汽車IGBT碳化硅 553 0

SiC功率器件的主要特點

基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，...

2022-11-02 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2414 0

恒普科技突破性解決了碳化鉭涂層技術(shù)（CVD）

采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題，提高晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”的核心技術(shù)方向之一。為了推動行業(yè)技術(shù)發(fā)展，解決關(guān)鍵材料“進口”依賴，恒普...

2022-11-02 標(biāo)簽：核心技術(shù)SiC碳化硅 4626 0

13種功率半導(dǎo)體器件介紹

IEGT是耐壓達4kV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

2022-11-02 標(biāo)簽：電力電子器件碳化硅功率半導(dǎo)體器件 2675 0

電動汽車中的碳化硅半導(dǎo)體

電動汽車充滿了需要電力的電子設(shè)備，從牽引逆變器到車載充電器和輔助電源。在所有情況下，為了實現(xiàn)高效率，開關(guān)模式技術(shù)都用于生成電壓軌，這依賴于以高頻運行的半導(dǎo)體。

2022-11-01 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體IGBT 884 0

漢京半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元天使輪融資，加速半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅制品研發(fā)

近日，遼寧漢京半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導(dǎo)體”）宣布完成數(shù)千萬元天使輪融資，由浙商創(chuàng)投獨家投資。本輪融資將主要用于半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅制品的研發(fā)...

2022-11-01 標(biāo)簽：碳化硅漢京半導(dǎo)體 2554 0

第三代半導(dǎo)體的特點與選型要素

第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...

2022-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2309 0