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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項目
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導(dǎo)體材料團隊執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項目做了詳細介紹。
車規(guī)級SiC供應(yīng)商桑德斯與世強硬創(chuàng)平臺達成協(xié)議
桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創(chuàng)平臺達成協(xié)議,授權(quán)世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。
碳化硅外延設(shè)備廠商納設(shè)智能啟動上市輔導(dǎo)
近日,證監(jiān)會正式披露了深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司(以下簡稱“納設(shè)智能”)的首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告,這標(biāo)志著納設(shè)智能正式啟動了上市進程。
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?
近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
小米SU7單電機版,400V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子,其中搭載了來自博世的碳化硅芯片,根據(jù)調(diào)研:其中搭載了博世第二代750V,6毫歐的芯片產(chǎn)品。
2024-04-11 標(biāo)簽:永磁電機碳化硅SiC MOSFET 1809 0
第三代半導(dǎo)體:在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用前景展望
近年來,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計算機應(yīng)用范圍的不斷擴大,半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中,第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 標(biāo)簽:太陽能電池智能電網(wǎng)半導(dǎo)體技術(shù) 1806 0
碳化硅外延晶片領(lǐng)軍企業(yè)瀚天天成沖刺上交所IPO
瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(以下簡稱“瀚天天成”)已順利獲得上交所科創(chuàng)板的IPO受理,此次IPO由中金公司擔(dān)任保薦機構(gòu)。瀚天天成成立于2011...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)隨著儲能高速發(fā)展,對于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性,在儲能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(PCS)...
晶盛機電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設(shè)備
晶盛機電戰(zhàn)略定位先進材料、先進裝備市場,圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備,業(yè)務(wù)同時延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。
2023-02-27 標(biāo)簽:SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 1802 0
泰科天潤攜帶6英寸碳化硅二極管最新產(chǎn)品及多款應(yīng)用案例亮相第十二屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇。
未來市場格局充滿變數(shù) 小規(guī)模碳化硅供應(yīng)鏈難題未解
中國規(guī)模較小的碳化硅(SiC)供應(yīng)鏈參與者將發(fā)現(xiàn)2023年是其相對艱難的一年。
碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠大于硅(Si)的1.12eV,這...
縱觀整個SiC芯片市場,主要的碳化硅芯片制造商包括英飛凌、安森美、羅姆、意法半導(dǎo)體(STM)和Wolfspeed,無疑,這些SiC芯片供應(yīng)商正成為車企爭...
日立ECN30系列功率模塊助力電動汽車(EV)領(lǐng)域
在電動汽車領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件,正引領(lǐng)著一場技術(shù)革新,其相較于傳統(tǒng)硅基功率器件展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢。電動汽車制造商紛紛采用SiC功率器件作為動力核...
Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案取代硅IGBT,現(xiàn)已提供1700V版本
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源microchipIGBT 1785 0
上汽高端純電SUV智己LS6:首款搭載準(zhǔn)900V雙碳化硅高性能平臺
智己汽車研發(fā)人員介紹,智己LS6是智己汽車高端智能平臺的最新產(chǎn)品,搭載三電、智能駕駛、智艙交互領(lǐng)域的百余項最新科技。作為一款全球車,智己LS6由來自中國...
WolfPACK 功率模塊的性能優(yōu)于基于硅的功率器件
碳化硅 (SiC) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體,近年來已成功應(yīng)用于多種電源應(yīng)用,與基于硅技術(shù)的傳統(tǒng)組件相比,表現(xiàn)出卓越的品質(zhì)。基于 SiC 的功率分立器件具有相...
前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化...
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