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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50491次 帖子：38個(gè)

      碳化硅資訊

      SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望！

      碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫薙iC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景

      2022-11-11 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1960 0

      碳化硅芯片的短缺至少要持續(xù)到2023年底

      汽車芯片生產(chǎn)商英飛凌的首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 最近在慕尼黑的一次活動(dòng)中就供應(yīng)發(fā)出了類似的警告?！拔掖_實(shí)預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)相當(dāng)長時(shí)間的短缺，”他說。

      2022-12-21 標(biāo)簽：碳化硅 1959 0

      國電南自引領(lǐng)儲(chǔ)能核心技術(shù)突破，碳化硅功率模塊助雙碳目標(biāo)實(shí)現(xiàn)

      中國電科基礎(chǔ)辦付興昌表示：“碳化硅器件在電網(wǎng)和儲(chǔ)能領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用空間，希望雙方未來能發(fā)掘出更多的合作場景?！?/p>

      2024-01-05 標(biāo)簽：功率模塊變流器碳化硅 1937 0

      安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

      安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

      安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片...

      2024-01-20 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1931 0

      關(guān)于碳化硅 (SiC)，這些誤區(qū)要糾正

      關(guān)于碳化硅 (SiC)，這些誤區(qū)要糾正

      碳化硅(SiC)是一種新興的新型寬禁帶(WBG)材料，特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。然而，大家對它的諸多不了解限制了設(shè)計(jì)人員對它的充分利用。圖1：SiC晶...

      2023-08-18 標(biāo)簽：材料SiC電荷 1925 0

      納微半導(dǎo)體2022年第四季度及全年財(cái)報(bào)亮眼 2022年收入增長60%

      1 2022年收入增長60%。 2 納微藉技術(shù)、終端市場、地域多樣化形成規(guī)模優(yōu)勢。 3 取代功率半導(dǎo)體器件中的傳統(tǒng)硅應(yīng)用；實(shí)現(xiàn)新增長市場電氣化。 下一代...

      2023-03-10 標(biāo)簽：氮化鎵充電樁碳化硅 1924 0

      碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的干擾及延遲

      硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...

      2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET電壓IGBT 1923 0

      SiC需求爆發(fā) 賽道正式開啟國內(nèi)企業(yè)迅速就位

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型，成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影，對整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 碳化硅功...

      2021-11-13 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 1922 0

      碳化硅賽道熱度依舊，初創(chuàng)與頭部企業(yè)仍在享受資本紅利

      碳化硅賽道熱度依舊，初創(chuàng)與頭部企業(yè)仍在享受資本紅利

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）此前特斯拉在投資者日宣布減少碳化硅用量的新聞，不可避免地對整個(gè)碳化硅市場造成了影響。特斯拉首先肯定了碳化硅這一第三代半導(dǎo)體...

      2023-03-22 標(biāo)簽：碳化硅 1920 0

      三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國內(nèi)8英寸加速布局！

      從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/...

      2023-09-14 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 1912 0

      GaN和SiC熱管理的進(jìn)展

      GaN和SiC熱管理的進(jìn)展

      電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢以及對功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...

      2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1912 0

      碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為...

      2024-11-25 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料SiC 1911 0

      碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與未來展望

      碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與未來展望

      碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造用于高壓應(yīng)用的功率器件，例如電動(dòng)汽車 (EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率...

      2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1911 0

      日本住友重工將推出SiC離子注入機(jī)

      住友重工離子技術(shù)公司，作為住友重工的子公司，計(jì)劃在2025年向市場推出專為碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的離子注入機(jī)。SiC制程雖與硅生產(chǎn)線有諸多相似之...

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      碳化硅也要上天！飛機(jī)的電氣化進(jìn)展，從混合動(dòng)力開始

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在汽車電氣化的發(fā)展中，碳化硅的應(yīng)用已經(jīng)成為行業(yè)共識(shí)，采用碳化硅二極管以及開關(guān)管組成的功率模塊相比硅基模塊，在應(yīng)用中能夠縮小...

      2023-07-01 標(biāo)簽：碳化硅 1905 0

      CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系達(dá)成合作 攜手推進(jìn)基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)

      高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡稱電機(jī)系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳...

      2019-04-08 標(biāo)簽：新能源汽車CISSOID清華大學(xué) 1898 0

      2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

      氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分，據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復(fù)管提...

      2021-04-01 標(biāo)簽：封裝SiC碳化硅 1896 1

      意法半導(dǎo)體新廠2023年開始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

      意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，...

      2022-10-08 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1893 0

      瀚薪科技完成B輪融資，已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆

      瀚薪科技完成B輪融資，已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆

      根據(jù)公司披露：上海瀚薪具備多年的車規(guī)級(jí)SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極...

      2023-05-25 標(biāo)簽：二極管MOSFET碳化硅 1892 0

      積塔半導(dǎo)體增資至169億，國調(diào)二期基金等入股，猛增66.5%！

      積塔半導(dǎo)體增資至169億，國調(diào)二期基金等入股，猛增66.5%！

      公司通過了ISO9001、VDA 6.3 (Grade A)、IATF 16949、ISO 14001、ISO/IEC 27001等質(zhì)量、環(huán)境及信息安全...

      2024-01-29 標(biāo)簽：集成電路碳化硅積塔半導(dǎo)體 1890 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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