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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET(M1H),首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 標(biāo)簽:英飛凌驅(qū)動(dòng)器封裝 2020 0
Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和...
2023-04-20 標(biāo)簽:肖特基二極管電源轉(zhuǎn)換碳化硅 2018 0
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
從0到1,及早規(guī)劃布局搶入第三代半導(dǎo)體賽道
龍頭企業(yè)引領(lǐng)作用呈裂變趨勢(shì),園區(qū)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈體系不斷完善,同時(shí)也促進(jìn)產(chǎn)業(yè)服務(wù)配套企業(yè)加速聚集。今年4月7日,泉州芯谷南安分園區(qū)迎來(lái)了智澤南福咨詢...
2020-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高新技術(shù)碳化硅 2010 0
日本研發(fā)電化學(xué)機(jī)械拋光(ECMP)技術(shù)
在當(dāng)今追求高性能電子器件的時(shí)代背景下,碳化硅材料憑借其卓越的物理與電學(xué)特性,成為了電力電子器件制造領(lǐng)域的璀璨明星。然而,碳化硅襯底的拋光工藝卻長(zhǎng)期受制于...
寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái),WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...
近兩年來(lái),瞻芯電子快速推出了過(guò)百款產(chǎn)品,其中既有高品質(zhì)、高可靠的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET,也有成為業(yè)界創(chuàng)新標(biāo)桿的碳化硅專用驅(qū)動(dòng)芯片和模擬PFC控制芯片,...
Microchip將為Mersen提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
電動(dòng)出行和可再生能源系統(tǒng)需要能夠提高性能效率和加快開(kāi)發(fā)時(shí)間的電源管理解決方案。為滿足這些要求,Microchip Technology Inc.(美國(guó)微...
2021-12-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器microchip碳化硅 2002 0
瑞能半導(dǎo)體最新推出1700V SiC MOSFET產(chǎn)品
作為全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)之一,CISES聚焦行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)、新趨勢(shì)、新產(chǎn)品,致力于為業(yè)界高端決策者提供國(guó)際性合作交流平臺(tái)。
2022-09-07 標(biāo)簽:碳化硅SiC MOSFET瑞能半導(dǎo)體 1999 0
碳化硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓上實(shí)現(xiàn)超高Q值SAW諧振器的色散調(diào)控新機(jī)制
中科院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組基于自主研制的高質(zhì)量LiTaO3-on-SiC單晶壓電異質(zhì)襯底,揭示了其中水平剪切波模式(SH-SAW)的主偏振分...
納微半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管...
推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和碳化硅設(shè)計(jì)的創(chuàng)新,以改變綠色能源的產(chǎn)生。
2022-10-13 標(biāo)簽:逆變器太陽(yáng)能發(fā)電碳化硅 1991 0
碳化硅器件在新能源車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用
隨著全球及國(guó)內(nèi)在新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電和儲(chǔ)能等終端市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng),行業(yè)對(duì)碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)旺盛的趨勢(shì)。
2023-12-14 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)換器逆變器 1989 0
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...
2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFET光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 1983 0
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎,氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)樗鼈?..
2023-10-07 標(biāo)簽:MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 1983 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道??近期碳化硅襯底供應(yīng)商天科合達(dá)與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司,雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)推廣方面展開(kāi)...
Qorvo推出新一代1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (S...
SiC在集成光量子芯片上研究也取得了重要進(jìn)展。SiC中的固態(tài)自旋色心光源具有優(yōu)異的自旋性質(zhì),近期,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)許金時(shí)團(tuán)隊(duì)利用離子注入制備的PL6色心...
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