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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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IGBT、SiC國(guó)產(chǎn)化率加速攀升 碳化硅行業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇期
分 8 寸和 12 寸廠看,2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積 電和中芯國(guó)際的產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)分別下降到 97%/90%...
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大幅增長(zhǎng) SiC躋身電源組件主流
過(guò)去幾年來(lái),碳化硅(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng),成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場(chǎng)發(fā)展的力量包括下列趨勢(shì):節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...
2016-11-14 標(biāo)簽:igbtSiC功率半導(dǎo)體 2095 0
前段時(shí)間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2087 0
我國(guó)發(fā)展碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
迄今為止, 在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)過(guò)統(tǒng)計(jì)共有16項(xiàng),遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于該行業(yè)的發(fā)展,這對(duì)整個(gè)市場(chǎng)的秩序及行業(yè)的發(fā)展是很不利的,因此標(biāo)...
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙...
英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)
2017年6月30日,德國(guó)慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。英飛凌科技股份公...
2025年中國(guó)SiC芯片價(jià)格或迎大幅降價(jià)潮
近期,業(yè)內(nèi)傳來(lái)振奮人心的消息,預(yù)計(jì)未來(lái)兩年內(nèi),中國(guó)碳化硅(SiC)芯片市場(chǎng)將迎來(lái)價(jià)格的大幅下調(diào),降幅有望達(dá)到驚人的30%。這一預(yù)測(cè)背后,是中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)...
愛(ài)發(fā)科王禹:碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
面向未來(lái)智能社會(huì)所需的信息通信,電力電子,自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域,近年來(lái)第三代功率半導(dǎo)體材料(SiC,GaN等)具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能...
2023-09-28 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2066 0
天岳科技簽訂首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議
值得一提的是,天眼查APP顯示,截至目前,天岳科技共完成四輪融資,分別于2019年12月及今年5月和8月獲得三次股權(quán)融資,投資方包括海通新能源、深創(chuàng)投、...
碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...
2024-11-25 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 2061 0
基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳舉行
7月29日,基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳成功舉行,搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車輛正式啟程。
2021-07-30 標(biāo)簽:碳化硅基本半導(dǎo)體 2061 0
未來(lái)兩年高端化是整車廠主戰(zhàn)場(chǎng),軍備競(jìng)賽開(kāi)啟。補(bǔ)能時(shí)間是電動(dòng)車面臨的核心短板之一,升級(jí)800V結(jié)構(gòu)有利于實(shí)現(xiàn)快充,在短期內(nèi)形成對(duì)中低端車型的差異化競(jìng)爭(zhēng)力。...
我國(guó)第3代半導(dǎo)體被壟斷 國(guó)防所需受限
由于我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究領(lǐng)域起步較晚,目前在材料的自主制備上仍面臨難關(guān)。同時(shí),我國(guó)對(duì)基礎(chǔ)的材料問(wèn)題關(guān)注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠,相關(guān)人...
2013-08-16 標(biāo)簽:LED照明碳化硅MOCVD設(shè)備 2041 2
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日,由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案,大幅降低損耗,提升加工速度,推進(jìn)了碳化硅行...
2025-04-16 標(biāo)簽:碳化硅 2039 0
捷捷微電:下游需求延續(xù)旺盛趨勢(shì),尤其是家電、通信和安防等領(lǐng)域
集微網(wǎng)消息 1月28日,捷捷微電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,下游需求延續(xù)著去年下半年旺盛的趨勢(shì),尤其是家電、通信和安防等領(lǐng)域。一部分原因是海外公司因?yàn)橐咔樵?..
低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢(shì)
GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體)和垂直型...
碳化硅MOS管在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的應(yīng)用前景
自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后,整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒(méi)有停過(guò),也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應(yīng)用,從而提高充電速度...
碳化硅如何實(shí)現(xiàn)更高效的分布式太陽(yáng)能發(fā)電
該報(bào)告還強(qiáng)調(diào)了分布式光伏發(fā)電系統(tǒng)的重要性,因?yàn)橄M(fèi)者、商業(yè)建筑和工業(yè)設(shè)施開(kāi)始自行發(fā)電。它預(yù)測(cè),到 2024 年,分布式光伏總發(fā)電量將翻一番以上,超過(guò) 5...
碳化硅在過(guò)去兩年的全球市場(chǎng)也發(fā)生了些“微妙”的變化:碳化硅襯底供應(yīng)開(kāi)始嚴(yán)重不足,但科銳(Cree)已和數(shù)個(gè)關(guān)鍵公司簽署了長(zhǎng)期供貨協(xié)議,并在2019年5月...
2021-01-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源碳化硅 2026 0
意法半導(dǎo)體新碳化硅功率模塊提升電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航里程
ST碳化硅解決方案讓主要的汽車OEM廠商能夠領(lǐng)跑電動(dòng)汽車開(kāi)發(fā)競(jìng)賽,我們的第三代 SiC 技術(shù)確保功率晶體管達(dá)到理想的功率密度和能效,讓汽車實(shí)現(xiàn)出色的性能...
2022-12-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體功率模塊 2023 0
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