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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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國內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門造 能減少75%的能耗
你可能不知道,采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗,碳化硅半導(dǎo)體已成為國際上公認的將引領(lǐng)電力電子,特別是大功率電力電子下...
2012-04-12 標簽:碳化硅碳化硅半導(dǎo)體 2354 0
國內(nèi)上市的碳化硅企業(yè)的表現(xiàn)情況
碳化硅之所以受到投資青睞,歸功于其獨特的半導(dǎo)體屬性,能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環(huán)境中發(fā)揮出色,預(yù)示著其在多種應(yīng)用場景中的巨大潛力。
2024-02-25 標簽:碳化硅 2342 0
大眾汽車!開始導(dǎo)入碳化硅基板開發(fā)車用逆變器
大眾汽車集團運營與策略半導(dǎo)體工作小組 COMPASS 的負責(zé)人 Karsten Schnake 表示,安森美主驅(qū)逆變器模組的杰出性能和品質(zhì),加上共同努力...
基本半導(dǎo)體與廣電計量達成戰(zhàn)略合作,加快推出車規(guī)級碳化硅器件
深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱廣電計量)在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式,雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作,...
2019-05-14 標簽:新能源汽車碳化硅基本半導(dǎo)體 2330 0
SiCMOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設(shè)計,用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體,推出了兩款新的碳化...
2019-04-06 標簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 2322 0
從柵極驅(qū)動電路的器件選型到設(shè)計,提升碳化硅MOSFET性能
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)近年來,隨著光伏、軌道交通、汽車電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,以及對性能與效率的追求,具有寬禁帶、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高電子飽遷移率...
2015年,瑞能半導(dǎo)體從恩智浦功率產(chǎn)品線獨立出來,如今已成為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)廠商,特別是碳化硅市場份額在國際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展,瑞能半導(dǎo)體...
2021-08-20 標簽:恩智浦碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2319 0
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率D...
碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國內(nèi)外主要廠商分布圖
中國在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝堋⒏吣陀眯噪娮悠骷枨蟮脑黾?,碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻...
2024-02-27 標簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 2312 0
第三代化合物半導(dǎo)體材料中,碳化硅(SiC)與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大,它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源,汽車以及工業(yè)電力電子,在大功率轉(zhuǎn)換...
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級質(zhì)量認證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認證
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級質(zhì)量認證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認證 行業(yè)內(nèi)有標準如果要進入一級汽車電子大廠供應(yīng)鏈,必須取得對應(yīng)的認證,...
碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...
國內(nèi)的晟光硅研(Lasic)成立于2021年2月,是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項目,技術(shù)團隊包括來自西安電子科技大學(xué)、中國工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...
瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC ...
基本半導(dǎo)體獲博世戰(zhàn)略投資,將繼續(xù)堅持自主創(chuàng)新
隸屬于博世集團的羅伯特·博世創(chuàng)業(yè)投資公司(RBVC)已完成對基本半導(dǎo)體的投資。
碳化硅功率器件的封裝關(guān)鍵技術(shù)及所面臨的挑戰(zhàn)和機遇
目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式首先通過焊錫將芯片背部焊接在基板上,再通過金屬鍵合線引出正面電極...
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