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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50486次 帖子：38個(gè)

      碳化硅資訊

      碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表，以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景，成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度，深入探討碳化硅功率器件...

      2024-10-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1108 0

      碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場(chǎng)迎來(lái)新變革

      近期市場(chǎng)消息指出，中國(guó)新能源汽車(chē)和光伏市場(chǎng)的快速發(fā)展，推動(dòng)了碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢(shì)導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)成本...

      2024-10-22 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)SiC碳化硅 1220 0

      方正微電子：2025年將實(shí)現(xiàn)16.8萬(wàn)片/年車(chē)規(guī)SiC MOS產(chǎn)能

      近日，方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進(jìn)展。作為該領(lǐng)域的IDM（垂直整合制造）企業(yè)，方正微電子目前擁有兩個(gè)fab（制造工廠）。

      2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2240 0

      ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)

      ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)

      全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對(duì)行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合（包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8...

      2024-10-17 標(biāo)簽：ASM碳化硅 549 0

      裸硅芯片無(wú)壓燒結(jié)銀，助力客戶(hù)降本增效

      作為全球燒結(jié)銀的領(lǐng)航者，善仁新材重“芯“出發(fā)，再次開(kāi)發(fā)出引領(lǐng)燒結(jié)銀行業(yè)的革命----推出裸硅芯片的無(wú)壓燒結(jié)銀AS9332，此款燒結(jié)銀得到客戶(hù)的廣泛認(rèn)可。

      2024-10-29 標(biāo)簽：芯片封裝碳化硅 791 0

      意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世

      意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿(mǎn)足汽...

      2024-10-12 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體碳化硅 1453 0

      意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)

      意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代...

      2024-10-10 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1264 0

      泰國(guó)將建首個(gè)SiC工廠，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營(yíng)

      泰國(guó)近日宣布將建立首家碳化硅（SiC）晶圓工廠，標(biāo)志著該國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)邁出了重要一步。據(jù)悉，該工廠預(yù)計(jì)將于2027年正式投入運(yùn)營(yíng)，有望為泰國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

      2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1130 0

      納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證

      納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布推出符合車(chē)規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFET...

      2024-10-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)碳化硅納微半導(dǎo)體 773 0

      廣東芯粵能完成近十億元A輪融資

      廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司近日宣布成功完成約十億元人民幣的A輪融資，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的快速發(fā)展邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。本輪融資由粵財(cái)基金管理的廣東省集成電...

      2024-09-27 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 924 0

      瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬(wàn)顆 產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性得到驗(yàn)證

      瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬(wàn)顆 產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性得到驗(yàn)證

      來(lái)源：瞻芯電子 近日，自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來(lái)，瞻芯電子累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬(wàn)顆以上，其中包...

      2024-09-27 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 635 0

      碳化硅JBS二極管 結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管 UIS前沿感性負(fù)載開(kāi)關(guān)能力顯著：開(kāi)關(guān)損耗降低60%

      碳化硅JBS二極管 結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管 UIS前沿感性負(fù)載開(kāi)關(guān)能力顯著：開(kāi)關(guān)損耗降低60%

      華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎(chǔ)的MOSFET和碳化硅JBS二極管（結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管）。JBS是一種高性能的功率二極管，結(jié)合了肖特基二極管（SBD）和...

      2024-09-26 標(biāo)簽：二極管負(fù)載開(kāi)關(guān)UIS 835 0

      Wolfspeed碳化硅8寸工廠迎新進(jìn)展

      全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國(guó)紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 于近日宣布了碳化硅芯片制造工廠和材料制造工廠近期關(guān)鍵性進(jìn)展。

      2024-09-26 標(biāo)簽：芯片晶圓碳化硅 1090 0

      碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價(jià)值戰(zhàn)略咨詢(xún)報(bào)告

      根據(jù)Global Info Research項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研，預(yù)計(jì)2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達(dá)到2249百萬(wàn)美元，2024-20...

      2024-10-15 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 590 0

      碳化硅電力電子行業(yè)全景調(diào)研及投資價(jià)值戰(zhàn)略咨詢(xún)報(bào)告

      根據(jù)Global Info Research項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研，預(yù)計(jì)2030年全球碳化硅電力電子產(chǎn)值達(dá)到12580百萬(wàn)美元，2024-2030年期間年復(fù)合...

      2024-09-25 標(biāo)簽：電力電子碳化硅 462 0

      低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

      低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

      一、前言隨著電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展，汽車(chē)功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時(shí)碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動(dòng)汽車(chē)構(gòu)建模塊的首選...

      2024-09-24 標(biāo)簽：MOSFET低功耗碳化硅 922 0

      碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

      碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

      SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...

      2024-09-16 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1399 0

      基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

      基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

      近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿(mǎn)足汽車(chē)...

      2024-09-13 標(biāo)簽：MOSFET汽車(chē)電子碳化硅 1116 0

      合盛新材料8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線(xiàn)貫通

      合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料有限公司近日傳來(lái)振奮人心的消息，其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC（碳化硅）襯底項(xiàng)目已圓滿(mǎn)實(shí)現(xiàn)全線(xiàn)貫通，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)...

      2024-09-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1195 0

      世界先進(jìn)與漢磊攜手進(jìn)軍8英寸碳化硅晶圓市場(chǎng)

      半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)重要合作新篇章，世界先進(jìn)與漢磊科技近日宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體碳化硅（SiC）8英寸晶圓領(lǐng)域，攜手推動(dòng)技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造...

      2024-09-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 976 0

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        Arduino
        +關(guān)注
        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
      • FinFET
        FinFET
        +關(guān)注
        FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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        20nm
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      • 村田
        村田
        +關(guān)注
        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
      • TI公司
        TI公司
        +關(guān)注
        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
      • 羅姆
        羅姆
        +關(guān)注
        提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
      • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        +關(guān)注
        一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線(xiàn)鏈路可用時(shí)再行處理。
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        金升陽(yáng)
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        廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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        +關(guān)注
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      • 32位單片機(jī)
        32位單片機(jī)
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      • 驍龍
        驍龍
        +關(guān)注
        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
      • Cortex-A
        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
      • G3-PLC
        G3-PLC
        +關(guān)注
      • PFM
        PFM
        +關(guān)注
        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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      jf_87116849 jf_67264171 五星之光 jf_61424177 jf_84414472 jf_35884078 Ward_Elmos asdfdA RobinDong jf_59050084 jf_51964073 jf_44626178

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