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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)探討
超薄晶圓厚度極薄,切割時(shí) TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手,分析淺切多道切割在超薄晶圓 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢(shì),再深入探討具體控制技...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年7月8日,美東收盤后,此前一度表態(tài)將要申請(qǐng)破產(chǎn)的美國(guó)SiC大廠Wolfspeed大漲95.76%,市值回升至3.59億美...
2025-07-09 標(biāo)簽:碳化硅 3069 0
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深,寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點(diǎn)。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因...
博世碳化硅技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道,小編表示地鐵、老人、手機(jī).jpg,火速去內(nèi)部打探消息——結(jié)果只想說(shuō)一句:別慌,博世還在,且蓄...
62mm半橋SiC碳化硅MSOFET功率模塊 BMF540R12KA3應(yīng)用場(chǎng)景
國(guó)產(chǎn)62mm半橋碳化硅功率模塊 BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 的全面分析,包括產(chǎn)品力評(píng)估、應(yīng)用場(chǎng)景及具體解決方案: 一、產(chǎn)品力分析...
基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)135kW/145kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)
傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 以下基于BMF240R12E2...
博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1...
2025-06-27 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅博世 386 0
傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命
傾佳電子:碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革,正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下,混合...
IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)?
碳化硅直播季首場(chǎng)直播收獲了過(guò)萬(wàn)的觀看量,“打鐵需趁熱”,第一期話題直直戳中了可靠性這個(gè)核心戰(zhàn)場(chǎng),第二期就必須得火力全開,好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到...
英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vie...
簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的...
2025 OktoberTech?精彩回顧一: CoolSiC?碳化硅新品發(fā)布, 性能指標(biāo)領(lǐng)跑全行業(yè)
近日,英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)在上海順利落下帷幕。本次活動(dòng)中,英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品,...
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能
面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、...
2025-06-14 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)碳化硅 860 0
25 kW 雙向 T-型逆變器展示了 Wolfspeed 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 在光伏逆變器、不間斷電源 (U...
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其...
2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 210 0
“設(shè)計(jì)+量產(chǎn)”雙突破:經(jīng)緯恒潤(rùn)與長(zhǎng)飛先進(jìn)達(dá)成戰(zhàn)略合作,共推碳化硅模塊新能源汽車應(yīng)用
近日,經(jīng)緯恒潤(rùn)與安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)飛先進(jìn)”)順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來(lái),雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動(dòng)力及碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域...
2025-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅經(jīng)緯恒潤(rùn) 527 0
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí) 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(Si...
2025-06-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 272 0
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 ...
2025-06-07 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 344 0
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