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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。

2024-03-19 標(biāo)簽：二極管 IGBT MOS 9522 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導(dǎo)率。

2024-03-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換功率器件 SiC 985 0

中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

國際半導(dǎo)體IDM廠商，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

2024-03-14 標(biāo)簽：SiC 碳化硅射頻器件 1682 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動也常常被低調(diào)處理。

2024-03-14 標(biāo)簽：SiC Infineon 碳化硅 426 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強度。

2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 756 0

在當(dāng)今全球汽車工業(yè)駛向電動化的滾滾浪潮中，一項關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅(qū)逆變器。

2024-03-13 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 2457 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的...

2024-03-08 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2300 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊碳化硅 2491 0

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件互連技術(shù) 1982 0

光刻機精密碳化硅陶瓷部件揭秘

集成電路制造關(guān)鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強度、高彈性模量、高導(dǎo)熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點，且且結(jié)構(gòu)件要具有極高的尺寸精度和結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，...

2024-03-07 標(biāo)簽：集成電路光刻機光刻技術(shù) 1433 0

淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

2024-03-04 標(biāo)簽：晶體 SiC 碳化硅 1160 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...

2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2084 0

淺析碳化硅功率器件：原理、應(yīng)用與未來發(fā)展前景

隨著能源效率和環(huán)保要求的日益提高，電力電子系統(tǒng)正在向著更高效、更緊湊的方向發(fā)展。

2024-02-28 標(biāo)簽：晶體管硅二極管功率器件 1457 0

繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過時，會發(fā)出特定波長的光。

2024-02-27 標(biāo)簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 874 0

碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

2024-02-25 標(biāo)簽：晶體管功率器件碳化硅 1467 0

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用

隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...

2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1168 0

簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1602 0

晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 1148 0

TaC涂層石墨件的應(yīng)用與研發(fā)難點都有哪些呢？

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換 5033 0

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件碳化硅 804 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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