碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1315 0

碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測(cè)試

了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測(cè)試的關(guān)鍵，這些測(cè)試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行，并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對(duì)每十億個(gè)部...

2024-08-06 標(biāo)簽：測(cè)試MOSFET碳化硅 708 0

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理 在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體SiC襯底 4161 0

使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 724 0

詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢(shì)。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標(biāo)簽：SiC碳化硅功率電子 6.0萬 0

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車...

2024-07-18 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 829 0

SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力

碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可，例如電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變...

2024-07-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET碳化硅 685 0

基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設(shè)計(jì)

在電動(dòng)車發(fā)展的過程當(dāng)中，充電和換電是兩個(gè)同時(shí)存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求。現(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有...

2024-07-08 標(biāo)簽：安森美SiC充電站 1041 0

安森美T10系列支持下一代大功率處理器

隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計(jì)算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比，搭載人工智能的引擎需要消耗超過 10 倍...

2024-07-02 標(biāo)簽：處理器安森美碳化硅 595 0

驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn)，越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 3607 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關(guān)效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該...

2024-06-19 標(biāo)簽：電阻MOSFETSiC 1217 0

硬開關(guān)和軟開關(guān)的主要區(qū)別

? 在功率轉(zhuǎn)換中，效率和功率密度至關(guān)重要。每一個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量，并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關(guān)技術(shù)與碳化硅（SiC）技術(shù)的...

2024-06-13 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器軟開關(guān)碳化硅 2.5萬 0

電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測(cè)溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程

摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆...

2024-06-04 標(biāo)簽：模塊逆變器IGBT 793 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1548 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長(zhǎng)的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1418 0

R24C2T25可簡(jiǎn)化SiC的選擇和評(píng)估過程

毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。

2024-05-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 710 0

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1018 0

碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動(dòng)力

隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運(yùn)輸領(lǐng)域的變革，因?yàn)槲覀冃?..

2024-04-24 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅汽車 1295 0