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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 863 0

車載充電器材料選擇比較

車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的...

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2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 1128 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...

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SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 1840 0

碳化硅生產(chǎn)難點(diǎn)是什么

第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用...

2024-10-16 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 1217 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 5334 0

基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

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2024-10-16 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 1472 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 836 0

SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

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2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 1724 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵鍍膜 825 0

光伏板碳化硅二極管怎么選

選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。

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貼片壓敏電阻的關(guān)鍵特性

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二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是什么意思

二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是一個涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經(jīng)歷從正向?qū)顟B(tài)到反向偏置狀態(tài)（或相反過程）時，其電流和電...

2024-09-13 標(biāo)簽：二極管頻率碳化硅 932 0

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1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu)，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢...

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碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫...

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碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應(yīng)用于電力...

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碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

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功率半導(dǎo)體器件測試解決方案

功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...

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隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中，碳化硅（SiC）功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探...

2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1344 0

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

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