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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機(jī)會(huì)使用這項(xiàng)技術(shù)，但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)正獲得最大的興趣和關(guān)注。

2021-07-04 標(biāo)簽：SiC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器碳化硅 2544 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？

2021-06-02 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 IGBT 3170 0

用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

電池供電的便攜式設(shè)備越來(lái)越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級(jí)電容器。這些...

2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1478 0

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)PFC、半無(wú)橋PFC、雙向無(wú)橋PFC和圖騰柱無(wú)橋PFC。

2021-04-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車二極管安森美半導(dǎo)體 1901 0

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)

一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS（on）。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來(lái)比SiC更好，但由于其較低的倍增系數(shù)（κ），在100℃時(shí)，一個(gè)84mΩ的Coo...

2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源碳化硅 1792 0

英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過(guò)門特卡羅分析來(lái)演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 碳化硅 5354 0

分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

消費(fèi)者、各行業(yè)及政府都在采取各項(xiàng)措施以增加對(duì)可再生能源的利用，這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的，支持本地發(fā)電的拓?fù)?，并通過(guò)...

2020-12-14 標(biāo)簽：光伏發(fā)電分布式碳化硅 1701 0

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓（VF）是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對(duì)電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，很有機(jī)會(huì)在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時(shí)效...

2020-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1246 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極...

2020-11-17 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅 6709 0

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8316 0

基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...

2021-04-06 標(biāo)簽：電磁干擾 SiC 氮化鎵 3875 0

基于無(wú)芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間，ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開發(fā)無(wú)核片上變壓器，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-04-12 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET 碳化硅 2701 0

SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路，以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫?？梢钥闯?，出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。

2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET 監(jiān)控電路 SiC 6371 0

一文解析無(wú)芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器

2021-05-10 標(biāo)簽：變壓器功率器件 Rohm 4528 0

SiC對(duì)電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過(guò)程

由于SiC具有高導(dǎo)熱性，因此它比其他半導(dǎo)體材料更快地散發(fā)熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運(yùn)行，并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。

2021-05-13 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 2823 0

C2000?實(shí)時(shí)微控制器（MCU）應(yīng)對(duì)GaN 開關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2021-05-17 標(biāo)簽：mcu 氮化鎵碳化硅 3449 0

面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

電動(dòng)汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng)，例如用于主逆變器電機(jī)，泵，HVAC壓縮機(jī)，制動(dòng)...

2021-05-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車二極管 IGBT 2466 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過(guò)，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵碳化硅 4950 0

碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

隨著云計(jì)算的概念越來(lái)越流行，數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn)，最終開始以更快的速度增長(zhǎng)。它們已成為最大和最快的能源消耗來(lái)源，而 UPS（不間斷電源）...

2021-06-14 標(biāo)簽：整流器碳化硅 SiC MOSFET 3162 0

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

碳化硅半導(dǎo)體一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶...

2021-06-15 標(biāo)簽：碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1.1萬(wàn) 0

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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