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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

一文解析SMPD封裝設(shè)計(jì)的優(yōu)勢

表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設(shè)計(jì)人員在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。

2022-09-29 標(biāo)簽:MOSFET充電器碳化硅 1222 0

氮化鋁的研究歷史、特征及應(yīng)用

近幾年,碳化硅作為一種無機(jī)材料,其熱度可與“半導(dǎo)體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論,它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料外,因其獨(dú)有的特性和優(yōu)勢受到其...

2022-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻陶瓷材料 3178 0

測量DBC陶瓷基板在功率模塊的散熱和熱穩(wěn)定性功能

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碳化硅和氮化鎵是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,也是被認(rèn)為要求更高功率和更高溫度的電力電子應(yīng)用最佳材料。由于這些WBG半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能,如寬禁帶(>3...

2022-09-27 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅陶瓷基板 1863 0

碳化硅成本何時(shí)下降?超充與換電方案孰優(yōu)孰劣?

續(xù)航以及補(bǔ)能問題一直是困擾電動(dòng)汽車發(fā)展的因素,當(dāng)前主流電動(dòng)汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動(dòng)...

2022-09-27 標(biāo)簽:IGBT碳化硅超充 1325 0

碳化硅功率器件解讀 碳化硅與車載充電器(OBC)

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碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,讓新能源汽車充電更快,續(xù)航更長

2022-09-23 標(biāo)簽:新能源汽車充電器SiC 8506 0

碳化硅功率器件在OBC中的應(yīng)用

對于多數(shù)電動(dòng)汽車用戶來說,在家或是在公司進(jìn)行目的地充電應(yīng)該是更常用,也是更理想的方式,這樣可以免去頻繁跑直流充電站的煩惱。而車載充電機(jī) OBC(On-b...

2022-09-20 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅OBC 2319 0

碳化硅陶瓷基板用于高溫汽車應(yīng)用的低電感功率模塊

碳化硅陶瓷基板用于高溫汽車應(yīng)用的低電感功率模塊

如今碳化硅陶瓷基板,在功率模塊下高溫汽車逆變器應(yīng)用中提供出色的熱性能和高可靠性。與傳統(tǒng)的引線鍵合功率模塊相比,卓越的開關(guān)性能降低了開關(guān)的損耗性,因此可以...

2022-09-16 標(biāo)簽:碳化硅陶瓷基板 1482 0

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒有形成化學(xué)氧化物,這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...

2022-09-08 標(biāo)簽:清洗RCA碳化硅 2580 0

碳化硅MOS四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢

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瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場和客戶認(rèn)可,廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)...

2022-09-01 標(biāo)簽:封裝MOS引腳 8092 0

用于大功率模塊升壓臺(tái)面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板

用于大功率模塊升壓臺(tái)面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板

隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準(zhǔn)確地來說,用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個(gè)關(guān)鍵的多功能...

2022-09-01 標(biāo)簽:IGBT功率模塊碳化硅 864 0

評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性

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由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1700 0

電動(dòng)汽車的高效電源管理

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電動(dòng)汽車正變得越來越流行,其在質(zhì)量、功能簡單以及最重要的能源效率方面具有環(huán)保特性。功能推力由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),與內(nèi)燃機(jī)相比,其結(jié)構(gòu)簡單。在能效方面,燃油車和電...

2022-08-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源管理碳化硅 1100 0

碳化硅MOSFET的可靠有效控制

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對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長,以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)...

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1427 0

碳化硅技術(shù)評(píng)估平臺(tái)

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英飛凌設(shè)計(jì)的平臺(tái),旨在通過 TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...

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碳化硅功率模塊的建模和驗(yàn)證

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傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...

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碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢

光伏,電動(dòng)汽車,儲(chǔ)能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢。

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碳化硅和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

碳化硅和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

晶體結(jié)構(gòu)是通過原子(或離子/分子)組的周期性分布來實(shí)現(xiàn)的。理想情況下,考慮到在空間坐標(biāo)中延伸到無窮大的晶體,周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性(或平移對稱性)。因此...

2022-07-29 標(biāo)簽:晶體氮化鎵碳化硅 9380 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案

SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案

毫無疑問,所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過去五年中,汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗(yàn)場。基于 SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1401 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

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分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

了解半導(dǎo)體價(jià)帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型,突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難,然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體計(jì)算模型碳化硅 1612 0

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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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