碳化硅器件制造那些事兒

離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

2022-11-30 標(biāo)簽：制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2801 0

碳化硅功率器件市場(chǎng)前景！

在過(guò)去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開(kāi)關(guān)，并開(kāi)始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 524 0

當(dāng)前碳化硅功率器件回顧！

硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限，已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開(kāi)關(guān)、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮...

2022-11-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 727 0

碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...

2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1232 0

SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)（擊穿場(chǎng)）和帶隙...

2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2142 0

碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特性！

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢(shì)，包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2022-11-21 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1874 0

碳化硅技術(shù)在電源逆變器上的應(yīng)用！

碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一，具有獨(dú)特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強(qiáng)度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標(biāo)簽：SiC電源逆變器碳化硅 2854 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁...

2022-11-12 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅 1728 0

碳化硅CMOS技術(shù)在深紫外或高溫環(huán)境中應(yīng)用的潛力

紫外（UV）光譜可分為UV-A（315~400?nm）、UV-B（280~315?nm）和UV-C（200~280?nm）頻段。由于敏感光譜帶寬很寬，因...

2022-11-03 標(biāo)簽：帶寬碳化硅CMOS技術(shù) 2635 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件是怎樣制造出來(lái)的

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...

2022-11-02 標(biāo)簽：濾波器SiC碳化硅 2027 0

富昌電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心SiC版逆變器方案

該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺(tái)，融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件，以及NXP電源管理芯片，可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...

2022-10-31 標(biāo)簽：逆變器碳化硅SiC MOSFET 907 0

認(rèn)識(shí)碳化硅晶錠切割

眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，依據(jù)器件的使用，還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量

2022-10-25 標(biāo)簽：SiC碳化硅 7588 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的制造工藝

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...

2022-10-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅 9672 0

碳化硅SiC和氮化鎵GaN的應(yīng)用

在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。

2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1702 0

淺析5G系統(tǒng)對(duì)蜂窩無(wú)線的功率放大器設(shè)計(jì)

盡管 5G 提升了帶寬，但其更高的頻率更容易造成信號(hào)衰減。由于更高的帶寬會(huì)導(dǎo)致更低的信噪比（SNR），增加帶寬并不會(huì)導(dǎo)致容量的線性增加。解決這一問(wèn)題的一...

2022-10-17 標(biāo)簽：功率放大器碳化硅5G 1082 0

介紹碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用方向和生產(chǎn)過(guò)程

相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。

2022-10-14 標(biāo)簽：逆變器無(wú)線充電DCDC電源 6561 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...

2022-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 5394 0

不同類型二極管的關(guān)斷行為

近年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬，如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性，如高能量帶隙(eV)，高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)和...

2022-10-08 標(biāo)簽：二極管MOSFETSBD 2965 0

全新沉積技術(shù)SPARC實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯和DRAM集成設(shè)計(jì)

使用 SPARC 或單個(gè)前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅(jiān)固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...

2022-09-29 標(biāo)簽：DRAMSPARC碳化硅 1266 0