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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標簽：功率器件碳化硅寬禁帶 1424 0

碳化硅技術(shù)標準_碳化硅工藝

碳化硅，是一種無機物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-03 標簽：石英 SiC 碳化硅 5085 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標簽：SiC 襯底碳化硅 5010 0

碳化硅芯片供需失衡

襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵，占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高，而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

2023-02-03 標簽：芯片碳化硅 sic器件 1503 0

快充充電樁的第一選擇為何是碳化硅

一輛純電動車 (EV) 充滿電需要多久？如果借助家用交流電源的話，恐怕怎么也得花上一整個晚上。為解決充電時間問題，三級「快速」直流充電技術(shù)應(yīng)運而生，有望...

2023-02-03 標簽：碳化硅純電動車直流充電 868 0

碳化硅功率器件在車載充電機OBC中的應(yīng)用2

OBC作為新能源汽車的核心部件之一，其效率、功率密度等參數(shù)對新能源汽車充電時間和續(xù)航里程具有一定影響。在保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性的前提下，更高的功...

2023-02-03 標簽：新能源汽車碳化硅 OBC 1365 0

碳化硅功率器件在車載充電機OBC中的應(yīng)用1

隨著新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進步，提升新能源汽車續(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一。在動力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下，降低車用部件重量是提...

2023-02-03 標簽：動力電池功率碳化硅 670 0

碳化硅在“新基建”領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點，可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴苛環(huán)境，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...

2023-02-03 標簽：逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 743 0

碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標簽：SBD SiC 碳化硅 1174 0

簡述碳化硅材料特點及優(yōu)勢

碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料...

2023-02-03 標簽：功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3249 0

GaN晶體管與SiC MOSFET有何區(qū)別（下）

**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通...

2023-02-03 標簽：MOSFET 晶體管氮化鎵 2281 0

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-02-03 標簽：SiC 飛機碳化硅 351 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

2023-02-03 標簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1240 0

什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

碳化硅因其獨特的性能而被譽為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-02-03 標簽：變頻器電力電子 SiC 1417 0

碳化硅二極管在各個領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...

2023-02-03 標簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料 SiC 695 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動汽車，以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標簽：功率器件 SiC 能源 1211 0

中科院物理研究所實現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個器件的襯底所占的成本，這是一個國際上發(fā)展的趨勢。

2023-02-03 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 1609 0

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度...

2023-02-03 標簽：電阻率碳化硅導(dǎo)電率 6026 0

電機碳化硅技術(shù)指標是什么碳化硅國家技術(shù)標準介紹

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在多個領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標簽：電動車 SiC 碳化硅 5743 0

關(guān)于碳化硅你了解多少

碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們在某些方面具有類似的性質(zhì)。

2023-02-02 標簽：SiC 金剛石碳化硅 1873 0

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碳化硅技術(shù)

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