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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導體材料,其擊穿場強是硅的10倍,熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/c...
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(shù)(...
碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標識追蹤能力 控制擴展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
交流充電樁:本質(zhì)是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡單,需要車載充電機自己進行變壓...
進入90年代以后,第二代半導體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導體材料逐漸出現(xiàn),使得有線通訊技術迅速發(fā)展。隨后在本世紀初,碳化硅,氮化鎵等具有寬禁帶的第...
碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽的,燙的和風力)、EV/HEV動力系統(tǒng),以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
碳化硅的應用越來越廣泛,而現(xiàn)在科技市場的大力發(fā)展,碳化硅的功勞也是不容小覷,碳化硅在工業(yè)方面的應用可以說是比較廣泛、經(jīng)濟的一種,那么碳化硅用途主要有哪些...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導體器件,受到了廣泛的關注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...
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