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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封...
2025-02-27 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 437 0
SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。封...
2025-02-27 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 390 0
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 481 0
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 437 0
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具有...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 493 0
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 429 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 477 0
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...
2025-02-25 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 497 0
SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-25 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 437 0
SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標準,采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢及應(yīng)用
碳化硅(SiC)在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用,主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性,成為空間觀測、深空探測等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用...
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfs...
2025-02-19 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET碳化硅 1064 0
SiC芯片可以高溫工作,與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...
碳化硅MOSFET在家庭儲能(雙向逆變,中大充)的應(yīng)用優(yōu)勢
傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對比,并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M0...
碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能,在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,SiCMOSFET在研...
2025-02-06 標簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 1469 0
碳化硅(SiC)是一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材...
2025-01-23 標簽:半導(dǎo)體器件碳化硅可再生能源 1471 0
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...
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