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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅是一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的碳和硅的化合物,它是由碳原子和硅原子組成的類似金剛石的結(jié)構(gòu)。碳化硅具有優(yōu)異的電學(xué)性能,具有高熱穩(wěn)定性、高絕緣性、高耐磨性、高抗...
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2156 0
在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門開始。
氮化鎵晶體管型號參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
這些優(yōu)勢有利于電源的高效率化,并且通過高頻驅(qū)動實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化、低 噪化,可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車的快速充...
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
隨著技術(shù)的發(fā)展,電動汽車對電力電子功率驅(qū)動等系統(tǒng)提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等,但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制,其各方面的特性...
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元...
開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 2790 0
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復(fù)時(shí)間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...
2023-02-10 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體開關(guān)電源 3211 0
惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用
近年來,隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要,國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參...
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