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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

隨著電動汽車（EV）制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，...

2023-02-27 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 9136 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 616 0

汽車碳化硅逆變器的原理、作用和性能

　　汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器，用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，以驅(qū)動電動車的電動機。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器，將直...

2023-02-25 標(biāo)簽：電動車逆變器碳化硅 4282 0

汽車碳化硅芯片原理、性能和用途

　　汽車碳化硅芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，相比傳統(tǒng)的硅基功率器件，它具有更高的工作溫度、更低的開關(guān)損耗和更高的開關(guān)速度等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于汽車電...

2023-02-25 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 4234 0

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

2023-02-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體材料紅外探測器 3714 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術(shù)改進了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 1781 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強共價鍵，是一種堅固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 4524 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4394 0

碳化硅（SiC）在汽車電子中的應(yīng)用

熱設(shè)計在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設(shè)計高功率密度，從而設(shè)計緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1257 0

SiC器件的優(yōu)缺點！

在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-02-21 標(biāo)簽：逆變器 IGBT SiC 4050 0

真正實現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

車載充電器（OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC，正在進行的工藝和架構(gòu)改進肯定會增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強將擴大這種寬帶...

2023-02-21 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 碳化硅 297 0

碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？

　碳化硅的應(yīng)用主要在于它的半導(dǎo)體性能與力學(xué)性能兩個方面。高溫下與氧反應(yīng)。

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3546 0

分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率，省電池，省電費碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率，在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量，增加續(xù)航里程 -同樣的...

2023-02-20 標(biāo)簽：控制器 SiC 碳化硅 375 0

蘋果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

以“母性和蘋果派”的陳述開始博客總是很誘人的，比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個優(yōu)勢，但有時凈收益被錯誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點熱量...

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管碳化硅 295 0

從碳化硅場效應(yīng)管晶體管中獲得最佳性能

性能是一個主觀術(shù)語 - 它可以以任意多種方式進行衡量，但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，它歸結(jié)為兩個相互依賴的主要值，效率和成本。眾所周知，硅作為半導(dǎo)體開關(guān)材料在傳導(dǎo)和...

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管碳化硅 1584 0

碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

碳化硅功率器件的可靠性是指該器件在正常工作條件下，能夠持續(xù)穩(wěn)定地提供所需的功率，并且不會出現(xiàn)故障或失效的可能性。

2023-02-19 標(biāo)簽：功率器件可靠性分析碳化硅 1342 0

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來可期

碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化...

2023-02-19 標(biāo)簽：集成電路分立器件碳化硅 1573 0

碳化硅跟石墨怎樣分辨？哪個比較好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 電阻爐碳化硅 6875 0

中國SiC碳化硅器件行業(yè)技術(shù)情況研究報告

公司在IGBT的技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵技術(shù)。斯達作為國內(nèi)車規(guī)級SiC模塊的重要供應(yīng)商，車規(guī)級SiC模塊已獲得了國內(nèi)外多...

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 335 0

用于七種新型碳化硅場效應(yīng)管晶體管

當(dāng)然，D2PAK-7L 的“主要”屬性是它外形扁平且表面貼裝，適用于功率密集 AC/DC、DC/DC 和逆變器產(chǎn)品的現(xiàn)代自動化裝配技術(shù)。較舊的最終產(chǎn)品設(shè)...

2023-02-17 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管碳化硅 925 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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