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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

高電壓平臺(tái)和SiC碳化硅功率開(kāi)關(guān)的核心

電流方面，峰值充電電流可達(dá)600+A；電壓方面，量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)的架構(gòu)電壓普遍在400-500V，而小鵬實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超行業(yè)平均工作電壓的800V級(jí)，并可兼容不同電...

2023-04-25 標(biāo)簽：電動(dòng)車(chē)功率開(kāi)關(guān)SiC 654 0

國(guó)內(nèi)外碳化硅裝備發(fā)展?fàn)顩r SiC產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)及關(guān)鍵裝備

SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類(lèi)似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長(zhǎng)、晶體切割...

2023-04-25 標(biāo)簽：ASIC芯片碳化硅第三代半導(dǎo)體 2308 0

基于碳化硅的PIN紫外光電探測(cè)器仿真介紹

隨著碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的制備和研究工作取得巨大的進(jìn)展，對(duì)基于碳化硅材料的紫外探測(cè)器件的研究得到了業(yè)界更多的關(guān)注。

2023-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PIN管光電探測(cè)器 3423 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一個(gè)生長(zhǎng)3C-SiC的液相TSSG長(zhǎng)晶設(shè)備，其生長(zhǎng)過(guò)程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對(duì)流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 6174 0

青銅劍技術(shù)基于二代ASIC芯片即插即用的驅(qū)動(dòng)器6CP0215T12-A11

6CP0215T12-A11是專(zhuān)門(mén)針對(duì)1200V及以下電壓等級(jí)HPD封裝碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)的六通道、緊湊型驅(qū)動(dòng)器，可直接焊接在模塊上，即插即用無(wú)...

2023-04-23 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1655 0

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-04-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光封裝 1851 0

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用

近年來(lái)碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)，這主要?dú)w功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場(chǎng)擊穿電壓、更快的電荷移...

2023-04-17 標(biāo)簽：二極管 PFC電路碳化硅 905 0

碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)熱管理系統(tǒng)中的研究

我國(guó)擁有世界最大的汽車(chē)消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車(chē)[1]?車(chē)主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車(chē)突然沒(méi)電引起的焦慮問(wèn)題主要有...

2023-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET 功率器件 1657 0

碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)熱管理系統(tǒng)中的研究

空調(diào)壓縮機(jī)是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個(gè)系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測(cè)試電路,對(duì)1200V的碳化硅MO...

2023-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET 控制器 1262 0

SiC和Si的應(yīng)用各種SiC功率器件的特性

碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，...

2023-04-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 2746 0

五大陶瓷基板材料特性及應(yīng)用大全

BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高，BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導(dǎo)率（熱導(dǎo)系數(shù)）可達(dá)310W/(m·K)，為同等純...

2023-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 5403 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)

碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn)：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫?shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET IGBT 5828 0

碳化硅相對(duì)于硅的特性和優(yōu)勢(shì)有哪些

未來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標(biāo)簽：MOSFET 電感器 IGBT 2519 0

安森美碳化硅芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)展及技術(shù)分析

減小了電場(chǎng)集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個(gè)開(kāi)關(guān)單元有關(guān)，同時(shí)和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。

2023-04-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1502 0

碳化硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究

碳化硅功率器件依托其開(kāi)關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用，然而，其過(guò)快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度及過(guò)大的開(kāi)關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來(lái)了嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。通過(guò)采用理...

2023-04-07 標(biāo)簽：電磁兼容驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 1968 0

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)...

2023-04-06 標(biāo)簽：芯片 MOSFET SiC 1926 0

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些？

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。

2023-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 電機(jī)控制器 1002 0

電力電子器件的概念及分類(lèi)

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...

2023-04-04 標(biāo)簽：電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路 SiC 9004 0

用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊，并與晶圓上的電路進(jìn)行物...

2023-04-04 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體制造 1622 0

碳化硅MOSFET在汽車(chē)動(dòng)力逆變器中的優(yōu)勢(shì)有哪些呢？

新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展，也隨之而來(lái)的是取得的成果。公司不斷嘗試開(kāi)發(fā)越來(lái)越多的性能設(shè)備，特點(diǎn)是更高的效率和更好的電氣特性。

2023-04-01 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 逆變器 2464 0

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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