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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...

2023-05-19 標簽：半導體氮化鎵碳化硅 969 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。

2023-05-19 標簽：MOSFET MOS管 SiC 7334 0

連續(xù)纖維增強陶瓷基復合材料研究與應(yīng)用進展

連續(xù)纖維增強陶瓷基復合材料(以下簡稱陶瓷基復合材料)發(fā)明于20世紀70年代，歷經(jīng)近40年的發(fā)展，陶瓷基復合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國外機構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標簽：纖維 SiC 復合材料 4154 0

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢

碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電...

2023-05-18 標簽：電源模塊肖特基二極管充電樁 688 0

基本半導體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復二...

2023-05-18 標簽：電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 528 0

SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-18 標簽：電阻 MOSFET 晶體管 458 0

SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材...

2023-05-18 標簽：半導體射頻單晶 3343 0

激光與碳化硅相互作用的機理及應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標簽：半導體激光晶圓 2721 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離，優(yōu)點是其輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強，使用壽命長，傳輸效率高。

2023-05-17 標簽：光耦功率器件碳化硅 853 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當前電力系統(tǒng)效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標簽：驅(qū)動器 SiC 碳化硅 571 0

激光器芯片封裝熱沉的選擇

半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長，電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點

2023-05-16 標簽：半導體激光器激光二極管 5295 0

半導體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應(yīng)法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標簽：SiC GaN 碳化硅 5172 0

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作...

2023-05-10 標簽：半導體功率器件 SiC 2480 0

簡述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標簽：SiC 碳化硅 5550 0

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬 0

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些？

年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點

2023-05-05 標簽：MOSFET PFC 肖特基二極管 375 0

碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導率，是GaN基的理想襯底材料，如LED,LD。因此，SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重...

2023-05-05 標簽：金剛石碳化硅 2391 0

第一個木制晶體管問世，主頻1Hz！

前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計并測試了第一個木制晶體管。團隊發(fā)表了一篇題為“木材電化學晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學晶體管...

2023-05-04 標簽：晶體管氮化鎵碳化硅 460 0

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。

2023-04-27 標簽：電動汽車新能源汽車逆變器 1113 0

APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-04-27 標簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1381 0

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