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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...
碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱...
PCB板被廣泛應(yīng)用于電子行業(yè),作為電子設(shè)備的重要組成部分之一,負(fù)責(zé)連接各種電子元件。
2023-06-08 標(biāo)簽:PCB板電磁場(chǎng)碳化硅 782 0
納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC?到底該pick誰?
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘,使得半導(dǎo)...
碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn),廣泛...
2023-06-04 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體器件碳化硅 3692 0
分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣...
一種是通過生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延,下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底,外延層上制造各類功率器件; 另一種是通過生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...
電動(dòng)汽車的成功與高效率的實(shí)現(xiàn)密切相關(guān)。在電動(dòng)汽車中,效率在滿載條件下(通常,當(dāng)負(fù)載>90%時(shí))達(dá)到其最大潛力。在城市駕駛中,負(fù)載可以降低到10%,...
2023-05-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器碳化硅 1577 0
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度...
什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析
800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V,取中間值400V,籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng);而伴...
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...
行業(yè)巨頭們?nèi)绾慰焖俑码婒?qū)解決方案?
在CES 2023上,Infinitum宣布了其最新進(jìn)展——裝有PCB定子的空芯電機(jī),其液冷系統(tǒng)可以將冷卻液直接輸送到電機(jī)熱源。該電機(jī)將冷卻液注入空心軸...
2023-05-26 標(biāo)簽:電機(jī)碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 896 0
新能源汽車領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用
汽車原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類系統(tǒng)的開發(fā)人員來說是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作...
2023-05-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車碳化硅 992 0
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的,通常以單晶形式生長(zhǎng)。其固有的材料特性,加上作為單晶生長(zhǎng),使其成為市場(chǎng)上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...
SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:?jiǎn)蝹€(gè)SiC晶??梢詿Y(jié)在...
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