碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

2023-07-10 標(biāo)簽：IGBTSiC碳化硅 529 0

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。

2023-07-05 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 487 0

新能源汽車使用碳化硅功率器件已是必然的變革

森國科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體 新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括：電機驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載?DC/...

2023-07-03 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET功率器件 779 0

雜散電感對碳化硅功率器件動態(tài)測試的影響

電感是導(dǎo)體的一種特性，會阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會消耗電能，而是以磁場/電磁感應(yīng)的方式存儲釋放能量，以達到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件動態(tài)測試碳化硅 1720 0

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日，比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 982 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...

2023-06-28 標(biāo)簽：封裝功率器件SiC 1248 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。

2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 4633 0

碳化硅在新能源車中的主要應(yīng)用

新能源汽車的加速性能與動力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關(guān)，碳化硅（SiC）技術(shù)允許驅(qū)動電機在低轉(zhuǎn)速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導(dǎo)致的熱效應(yīng)和...

2023-06-27 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動器SiC 2960 0

陶瓷基板制備工藝研究進展

目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)...

2023-06-27 標(biāo)簽：pcb印制電路板功率器件 1246 0

淺談新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)的核心技術(shù)

電機動力目前已經(jīng)夠用，壓榨潛力和必要性不大 在電驅(qū)最重要的“動力”屬性上，目前大多數(shù)的電車都存在動力過剩現(xiàn)象，以36w+的特斯拉 Model3P 為...

2023-06-26 標(biāo)簽：電機控制減速器碳化硅 1200 0

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢，是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無...

2023-06-25 標(biāo)簽：激光器發(fā)光二極管SiC 734 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 1817 0

國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實驗

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓SiC 1918 0

新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車，其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加，根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...

2023-06-15 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 4734 0

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的...

2023-06-15 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體肖特基二極管 467 0

碳化硅器件在高效可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。

2023-06-13 標(biāo)簽：太陽能電池逆變器碳化硅 456 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢和現(xiàn)狀

中低壓產(chǎn)品性能可靠性滿足應(yīng)用要求，產(chǎn)品耐壓提升到2000V及以上. 產(chǎn)品發(fā)展到第三代，采用新型柵氧、溝槽結(jié)構(gòu)、集成肖特基二極管等技術(shù).

2023-06-12 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 631 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。

2023-06-12 標(biāo)簽：充電器SiC氮化鎵 4424 0

分享一種碳化硅器件功率循環(huán)測試解決方案

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET電力電子器件SiC 1268 0