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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2533個 瀏覽：50477次 帖子：38個

      碳化硅技術(shù)

      什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

      什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

      第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

      2023-08-11 標簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1384 0

      碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢

      碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢

      隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。

      2023-08-10 標簽：MOSFET逆變器芯片設(shè)計 1824 0

      車規(guī)碳化硅功率肖特基二極管簡述

      在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下，車載功率半導(dǎo)體需求量激增，其中，碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強的耐高溫及散熱能...

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      Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

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      寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。

      2023-08-09 標簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1187 0

      切割工藝參數(shù)對6英寸N型碳化硅晶片的影響

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      采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數(shù)對晶片切割表面的影響。通過優(yōu)...

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      GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

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      　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

      2023-08-09 標簽：驅(qū)動器SiC氮化鎵 1468 0

      碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展

      碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場強、高電子遷移率等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動汽車、可再生能源、工業(yè)電機和...

      2023-08-08 標簽：電動汽車半導(dǎo)體功率器件 913 0

      為什么不用SiC來做IGBT？未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢？

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      IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

      2023-08-08 標簽：MOSFET驅(qū)動電路SiC 1596 0

      氮化鎵和碳化硅誰將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？

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      氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。

      2023-08-07 標簽：led照明充電器氮化鎵 1818 0

      什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

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      半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。

      2023-08-07 標簽：集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4517 0

      SiC MOSFET的設(shè)計和制造

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      首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

      2023-08-06 標簽：芯片MOSFET晶圓 2338 0

      碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？

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      SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

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      碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。

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      2023-08-03 標簽：二極管半導(dǎo)體SiC 651 0

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      2023-08-01 標簽：MOSFET芯片設(shè)計SiC 1696 0

      高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率

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      碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢？

      碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面

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