陽光電動力混合動力雙電機控制器四大關(guān)鍵

針對整車發(fā)動機艙裝配空間有限的痛點，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計，應(yīng)用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結(jié)構(gòu)更加緊湊，實現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標(biāo)簽：發(fā)動機控制器電機控制器 1919 0

碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺蓄勢待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1047 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點...

2023-09-27 標(biāo)簽：新能源MOSFETMOS 2163 0

電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)核心技術(shù)是什么

基于第1部分，電機動力對多數(shù)用戶已經(jīng)夠用甚至過剩的前提，下圖是某電機能效Map圖，可以清楚看到，在多數(shù)日常使用轉(zhuǎn)速區(qū)間內(nèi)，電機的能效都是在90%以上的。...

2023-09-27 標(biāo)簽：電機控制減速器碳化硅 950 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點。

2023-09-27 標(biāo)簽：SiC電磁感應(yīng)硅晶片 7578 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。

2023-09-27 標(biāo)簽：BGASiC芯片封裝 1010 0

碳化硅多芯片模塊現(xiàn)狀分析

現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率，同時減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求，適用于廣泛的領(lǐng)域，包括電動汽車、可再生能源、工業(yè)電機和發(fā)電機以及配電網(wǎng)應(yīng)用。為了跟上這種...

2023-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)SiC 647 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA功率器件 1038 0

混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點

IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...

2023-09-22 標(biāo)簽：二極管IGBT分立器件 688 0

車載充電機在新能源汽車拆解應(yīng)用分析

車載充電機OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動車內(nèi)的零部件，它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電，給整車高壓動力電池充電。

2023-09-21 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅 2138 0

碳化硅將推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展

無論是 1 級還是 2 級充電器，都是為電動汽車提供交流電，因此車載充電器是將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出來為電池充電的關(guān)鍵。目前，市面部署的大多數(shù)充電器都是...

2023-09-20 標(biāo)簽：混合動力汽車電力系統(tǒng)碳化硅 621 0

碳化硅在電動汽車的應(yīng)用

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機（ICE）汽車到電動汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下，預(yù)計到45年，電動汽車將達(dá)到新車總銷量的...

2023-09-20 標(biāo)簽：電動汽車IGBT晶體管 860 0

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2210 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的八大誤區(qū)

太陽能光伏系統(tǒng)：為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本，太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加，從600V增加到1,500V。

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 493 0