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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50470次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      2CP0220T12-ZC01驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特點(diǎn)和典型應(yīng)用

      2CP0220T12-ZC01驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特點(diǎn)和典型應(yīng)用

      太陽(yáng)能是重要的清潔能源，而光伏逆變器是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組成部分，其穩(wěn)定可靠運(yùn)行對(duì)系統(tǒng)整體性能有著舉足輕重的影響。青銅劍技術(shù)2CP0220T12-...

      2023-11-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器太陽(yáng)能光伏逆變器 838 0

      大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

      大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

      以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...

      2023-11-21 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率模塊 1430 0

      Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹

      Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹

      Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡(jiǎn)化了熱管理。

      2023-11-20 標(biāo)簽：MOSFET封裝人工智能 1318 0

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

      不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機(jī)相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

      2023-11-20 標(biāo)簽：蓄電池不間斷電源MOS 1033 0

      碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)中的應(yīng)用

      碳化硅（SiC）技術(shù)比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)，包括更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的...

      2023-11-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體SiC 1733 0

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

      DCDC轉(zhuǎn)換器是一種臨時(shí)儲(chǔ)存電能的設(shè)備，作用是將直流電從一個(gè)電壓水平轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓水平。

      2023-11-17 標(biāo)簽：隔離器直流電dcdc轉(zhuǎn)換器 1169 0

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

      主驅(qū)逆變器是電動(dòng)汽車動(dòng)力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件，它從VCU獲取扭矩指令，從高壓電池包獲取電能

      2023-11-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器MOS 1161 0

      SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

      SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

      光伏逆變器是將太陽(yáng)能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備。

      2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET光伏光伏逆變器 1217 0

      意法半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊

      意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊，采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封...

      2023-11-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體功率模塊 1440 0

      汽車直流充電樁設(shè)計(jì)圖

      汽車直流充電樁設(shè)計(jì)圖

      傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動(dòng)化趨勢(shì)帶來(lái)了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長(zhǎng)，但同時(shí)大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。

      2023-11-13 標(biāo)簽：MOSFET元器件MOS 1308 0

      碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢(shì)

      　　硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率，并擴(kuò)展了功率密度和工...

      2023-11-10 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體SiC 2382 0

      碳化硅材料的主要應(yīng)用

      碳化硅材料的主要應(yīng)用

      碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性，其中禁帶寬度 （2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（0.8×10...

      2023-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 986 0

      碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

      碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn)，因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件，尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

      2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET功率器件功率模塊 4333 0

      碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

      碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來(lái)越受歡迎。

      2023-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子器件SiC 1758 0

      碳化硅相對(duì)于硅的優(yōu)勢(shì)

      碳化硅相對(duì)于硅的優(yōu)勢(shì)

      在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

      2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 1943 0

      碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

      碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

      光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是將太陽(yáng)電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)...

      2023-11-06 標(biāo)簽：光伏發(fā)電SiC光伏逆變器 1860 0

      SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢(shì)

      SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢(shì)

      下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹

      2023-11-01 標(biāo)簽：MOSFET晶圓SiC 2710 0

      高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計(jì)方案

      高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計(jì)方案

      SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽(yáng)能應(yīng)用中，散熱器很大，并且通過(guò)機(jī)械固定在機(jī)箱上，因此水平安裝往往很常見，在這種情況下，隔離...

      2023-11-01 標(biāo)簽：太陽(yáng)能逆變器SiC 309 0

      碳化硅和硅的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

      碳化硅和硅的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

      寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能，兩種材料的特性說(shuō)明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

      2023-10-30 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SiC 5263 0

      碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)

      本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來(lái)的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)，以及如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來(lái)滿足不同應(yīng)用的需求。其中，英飛凌作為國(guó)際品牌的代表，其第四代產(chǎn)品已...

      2023-10-28 標(biāo)簽：IGBT功率器件工業(yè)電源 2212 0

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        PFM
        +關(guān)注
        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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