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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。

2023-12-12 標(biāo)簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2243 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4372 0

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 1533 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2896 0

淺談碳化硅陶瓷的各種燒結(jié)技術(shù)

碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓燒結(jié) 5963 0

碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時(shí)需注意的事項(xiàng)有哪些？

技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時(shí)，通常需要采取一些措施保障來處理可能會出現(xiàn)的問題。

2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器散熱器 1366 0

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2136 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 M...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 熱管理 1007 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 1137 0

碳化硅功率器件在儲能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...

2023-12-03 標(biāo)簽：太陽能功率器件 SiC 1315 0

碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇

電動化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢，對高速充電的需求持續(xù)提升，而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高，因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 584 0

淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 半導(dǎo)體材料 2048 0

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料 SiC 1382 0

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體仿真 2588 0

淺談英飛凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領(lǐng)域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利，相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...

2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌 SiC GaN 572 0

什么是碳化硅功率模塊？為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選？

如今，功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉，而且該技術(shù)廣為人知。

2023-11-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 3736 0

深度探索應(yīng)對芯片挑戰(zhàn)的三種思路

　硅材料雖然適合大規(guī)模生產(chǎn)，儲藏豐富，還有一個(gè)天然穩(wěn)定的絕緣氧化層，但它也有難以克服的缺點(diǎn)：電子遷移率低，導(dǎo)致開關(guān)速度不高；散熱特性一般，限制了芯片的工...

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使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗

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碳化硅MOSFET尖峰的抑制

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2067 0

基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格

2023-11-27 標(biāo)簽：電動汽車充電樁碳化硅 1437 0

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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