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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50462次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      一、引言 在晶圓制造過(guò)程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過(guò)程中，受切削力、振動(dòng)、刀具磨損等因素...

      2025-07-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 27 0

      碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

      碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

      01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...

      2025-07-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 95 0

      基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

      基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

      一、引言 在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過(guò)程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓變形，進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...

      2025-07-14 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 98 0

      晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

      晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

      一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過(guò)分層切削降低單次切削力...

      2025-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 59 0

      淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過(guò)程中，易因單次切割...

      2025-07-11 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 113 0

      超薄晶圓切割：振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

      超薄晶圓切割：振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

      超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

      2025-07-09 標(biāo)簽：晶圓切割碳化硅 127 0

      基于多物理場(chǎng)耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

      基于多物理場(chǎng)耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

      一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過(guò)程中，熱場(chǎng)、力場(chǎng)、流場(chǎng)等多物理場(chǎng)相互耦合，引發(fā)切割振動(dòng)，嚴(yán)重...

      2025-07-07 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 161 0

      碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

      碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

      一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性，進(jìn)給參數(shù)控制切割過(guò)...

      2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 171 0

      基于機(jī)器視覺(jué)的碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)設(shè)計(jì)與厚度均勻性控制

      基于機(jī)器視覺(jué)的碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)設(shè)計(jì)與厚度均勻性控制

      一、引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其卓越的物理化學(xué)性能，在新能源汽車(chē)、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而，...

      2025-06-30 標(biāo)簽：晶圓機(jī)器視碳化硅 482 0

      自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)對(duì)碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性?xún)?yōu)化

      自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)對(duì)碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性?xún)?yōu)化

      摘要：碳化硅襯底切割對(duì)起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進(jìn)而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動(dòng)...

      2025-06-26 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度TTV厚度 370 0

      碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

      碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

      摘要：碳化硅襯底切割過(guò)程中，進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián)，二者協(xié)同調(diào)控對(duì)提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機(jī)制，探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...

      2025-06-25 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度TTV 334 0

      羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能

      羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能

      在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問(wèn)題。但是，這次開(kāi)發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。

      2025-06-23 標(biāo)簽：SPICE功率半導(dǎo)體碳化硅 198 0

      方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用

      方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用

      隨著全球能源需求不斷上升，我國(guó)“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進(jìn)和新能源行業(yè)的快速發(fā)展，近年來(lái)光伏儲(chǔ)能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...

      2025-06-17 標(biāo)簽：MOSFETSiCPCS 653 0

      基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

      基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

      碳化硅襯底切割過(guò)程中，厚度不均勻問(wèn)題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進(jìn)給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化，基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...

      2025-06-13 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度TTV厚度 243 0

      安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

      安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

      安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系...

      2025-06-13 標(biāo)簽：MOSFET安森美JFET 832 0

      碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

      碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

      對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專(zhuān)業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

      2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管SiC功率半導(dǎo)體 436 0

      切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

      切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

      引言 在碳化硅襯底加工過(guò)程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿(mǎn)足半導(dǎo)體器件制...

      2025-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓厚度 249 0

      碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

      碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

      在碳化硅襯底厚度測(cè)量中，探頭溫漂與材料各向異性均會(huì)影響測(cè)量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測(cè)量誤差根源，為優(yōu)化測(cè)量探頭...

      2025-06-11 標(biāo)簽：測(cè)量碳化硅晶圓厚度 349 0

      基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

      基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

      亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)...

      2025-06-08 標(biāo)簽：SiCPCS碳化硅 368 0

      碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭溫漂的動(dòng)態(tài)修正方法

      碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭溫漂的動(dòng)態(tài)修正方法

      引言 碳化硅襯底高溫加工過(guò)程中，溫度的劇烈變化會(huì)引發(fā)測(cè)量探頭溫漂，嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測(cè)量精度，進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動(dòng)態(tài)修正方法，...

      2025-06-06 標(biāo)簽：測(cè)量碳化硅晶圓厚度 251 0

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      • Arduino
        Arduino
        +關(guān)注
        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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        20nm
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        村田
        +關(guān)注
        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
      • TI公司
        TI公司
        +關(guān)注
        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        +關(guān)注
      • 32位單片機(jī)
        32位單片機(jī)
        +關(guān)注
        ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
      • 驍龍
        驍龍
        +關(guān)注
        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
      • Cortex-A
        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
      • G3-PLC
        G3-PLC
        +關(guān)注
      • PFM
        PFM
        +關(guān)注
        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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      jf_87116849 jf_67264171 五星之光 jf_61424177 jf_84414472 jf_35884078 Ward_Elmos asdfdA RobinDong jf_59050084 jf_51964073 jf_44626178

      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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