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標簽 > 硅芯片
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CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并...
單片集成電路(Monolithic Integrated Circuit,簡稱MIC)是一種將多個電子元件集成在單一硅芯片上的技術。這種技術極大地減小了...
1. 集成放大電路的基本概念 集成放大電路是一種使用集成電路技術實現(xiàn)的放大器,它將傳統(tǒng)的分立元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一個小型的硅芯片上。這種...
專用集成電路(ASIC)設計流程是指將特定應用需求轉化為硅芯片的過程。下面將詳細介紹ASIC設計流程,并進一步探討ASIC的特點。 一、ASIC設計流程...
氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片,它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和...
如何對系統(tǒng)和組件進行可靠的封裝是微系統(tǒng)工業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn),因為微系統(tǒng)的封裝技術遠沒有微電子封裝技術成熟。微系統(tǒng)封裝在廣義上講有三個主要的任務:裝配、封裝...
多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質?又是怎樣制造出來的呢?
硅,我們都知道。但是芯片制程中的硅,有的用的是單晶硅,有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優(yōu)良性質?有哪些應用?又是怎樣制造...
Sandia Labs發(fā)明一種硅上集成微光學器件的方法
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,位于美國新墨西哥州阿爾伯克基的桑迪亞國家實驗室(Sandia Labs)的科學家開發(fā)出一種新型硅上集成微型激光器,并可以與其它微...
砷化鎵芯片的制造工藝相對復雜,需要使用分子束外延(MBE)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)等專門的生長技術。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單,可以使...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微...
在摩爾定律持續(xù)放緩、新型計算平臺卻要求更高性能的大背景下,電子IC發(fā)展進入瓶頸期,光子IC (PIC)逐漸興起。
固態(tài)架構創(chuàng)新的數(shù)字化特性為擴展功能、增加價值以及集成和擴展現(xiàn)有智能建筑系統(tǒng)創(chuàng)造了可能性,例如住宅和商業(yè)安全、商業(yè)消防、門禁和樓宇自動化。
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