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標(biāo)簽 > 石墨烯
石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化方式形成的蜂窩狀平面薄膜,是一種只有一個原子層厚度的準(zhǔn)二維材料,所以又叫做單原子層石墨。英國曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫,用微機械剝離法成功從石墨中分離出石墨烯,因此共同獲得2010年諾貝爾物理學(xué)獎。
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【DT半導(dǎo)體】獲悉,本征的谷自由度使得雙層石墨烯(BLG)成為半導(dǎo)體量子比特的獨特平臺。單載流子量子點(QD)基態(tài)表現(xiàn)出雙重簡并性,其中構(gòu)成克萊默對的兩...
隨著AI計算、大數(shù)據(jù)、高速互聯(lián)和5G/6G通信的快速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)正迎來一場材料革命。硅基芯片在制程縮小至2nm之后,已逼近物理極限,短溝道效應(yīng)、功耗...
石墨烯:石墨烯是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的二維碳納米材料。這種獨特的結(jié)構(gòu)賦予了石墨烯優(yōu)異的物理性質(zhì),包括電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)等...
石墨烯:石墨烯是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的二維碳納米材料。這種獨特的結(jié)構(gòu)賦予了石墨烯優(yōu)異的物理性質(zhì),包括電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)等...
石墨烯在激光器中的應(yīng)用是一個廣泛而深入的研究領(lǐng)域,其獨特的電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性質(zhì)為激光器的性能提升和應(yīng)用拓展提供了新的可能性。以下將詳細(xì)探討石墨烯在激光器...
用于印刷電子柔性絲網(wǎng)印刷的高導(dǎo)電石墨烯油墨
石墨烯的特有性能和未來發(fā)展前景引起了人們極大的興趣,但是如何獲取無缺陷,低氧化,穩(wěn)定的石墨烯片可以沉積在不同基底上是一個國內(nèi)外共同遇到的技術(shù)難題。通過特...
2024-07-11 標(biāo)簽:印刷電子石墨烯絲網(wǎng)印刷 825 0
基于米氏超構(gòu)表面的像素集成長波多光譜Ⅱ類超晶格探測器
多光譜探測是大氣監(jiān)測、廢棄物檢測、食品安全和微生物檢測等應(yīng)用技術(shù)中不可或缺的一部分。多光譜探測系統(tǒng)按照波長可以分為短波(1.1 μm~2 μm),中波(...
最近,西湖大學(xué)李蘭研究員課題組提出了基于石墨烯異質(zhì)結(jié)的調(diào)制、探測一體化集成光電子器件,該器件利用了石墨烯可調(diào)的復(fù)折射率和零帶隙特性,將石墨烯異質(zhì)結(jié)與微環(huán)...
通過2D/3D異質(zhì)結(jié)構(gòu)精確控制鐵電材料弛豫時間
受經(jīng)典德拜弛豫啟發(fā)的米勒模型提供了通過操縱弛豫時間來控制自發(fā)極化的理論框架。作者通過使用層轉(zhuǎn)移技術(shù)形成的2D/C-3D/2D異質(zhì)結(jié)構(gòu)克服了傳統(tǒng)異質(zhì)結(jié)存在...
室溫下單層石墨烯中電流渦旋的納米級掃描磁力成像技術(shù)
本工作MLG 裝置由帶有圓盤形側(cè)袋的均勻通道組成,臨界長度尺度主要由圓盤開口a設(shè)定。圓盤中的電流方向(同流或逆流)可以作為區(qū)分?jǐn)U散和流體動力傳輸?shù)臉?biāo)志。
本工作所研究的器件由最小扭曲石墨烯雙層 (MTGB) 制成,作者研究了八個器件,每個器件包含三到七個MTGB結(jié)。約瑟夫森結(jié)采用有邊和無邊兩種幾何形狀。
2024-04-29 標(biāo)簽:電流檢測石墨烯霍爾效應(yīng) 437 0
再生木材實現(xiàn)激光誘導(dǎo)石墨烯生長,助力綠色智能家具快速發(fā)展
在響應(yīng)碳中和政策的過程中,環(huán)保智能家具的開發(fā)具有重要意義。但智能家具制造中非生物降解電子組件的集成會導(dǎo)致產(chǎn)生大量的電子廢物。
超級電容器的正極材料是決定其性能的關(guān)鍵因素之一。理想的正極材料應(yīng)具備高比電容、良好的導(dǎo)電性、穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)以及較長的循環(huán)壽命等特點。
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過程中,如藍(lán)寶石就特別困難,會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
天津大學(xué)與佐治亞理工學(xué)院共創(chuàng)石墨烯芯片新時代
根據(jù)摩爾定律,芯片中的晶體管數(shù)量大約每2年就會增加一倍。這一觀察結(jié)果最初由戈登·摩爾在 1965 年描述,但后來摩爾本人預(yù)測,這個比率最終會放慢速度,不...
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