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標(biāo)簽 > 電容
電容器,通常簡稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容,用字母C表示。定義1:電容器,顧名思義,是‘裝電的容器’,是一種容納電荷的器件。英文名稱:capacitor。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交,耦合,旁路,濾波,調(diào)諧回路, 能量轉(zhuǎn)換,控制等方面。定義2:電容器,任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)間都構(gòu)成一個(gè)電容器。
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1、反饋的基本概念 反饋是指將電路的輸出量的一部分或全部,按一定的方式引回到系統(tǒng)的輸入端,從而影響原系統(tǒng)的輸入量的過程。 有無反饋的判斷: 反饋結(jié)構(gòu)示意...
EMC防護(hù)中的濾波電容在電路設(shè)計(jì)的分解
為什么總是在電路里擺兩個(gè)0.1uF和0.01uF的電容?我們學(xué)習(xí)一下。 旁路和去耦 旁路電容(Bypass Capacitor)和去耦電容(Decoup...
負(fù)載電容(IO電容)Cin對(duì)信號(hào)上升沿的影響
如果傳輸線阻抗50Ω,Cin=3pf,則τ10-90=0.33ns。如果信號(hào)的上升時(shí)間小于0.33ns,電容的充放電效應(yīng)將會(huì)影響信號(hào)的上升時(shí)間。如果信號(hào)...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):超結(jié)結(jié)構(gòu)
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但...
過沖是指一個(gè)超過設(shè)定電壓的峰值電壓, 一般以尖峰脈沖形式呈現(xiàn)。在使用電源產(chǎn)品過程中,輸入端開關(guān)接觸不良和輸 入端熱插拔上電都可能會(huì)產(chǎn)生輸出過沖,若是輸出...
LTC7151S Silent Switcher 2穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)適合SoC的20 V輸入至1 V、15 A輸出解決方案
為適合SoC和CPU功率應(yīng)用的1 MHz、1.0 V、15 A解決方案,其中輸入一般為12 V或5 V,可能在3.1 V至20 V之間波動(dòng)。只需要輸入和...
電容是電子電路中的重要元件之一,其性能好壞直接影響到電路的穩(wěn)定性和可靠性。因此,對(duì)于電容的檢測和測試顯得尤為重要。數(shù)字萬用表作為一種常用的電子測量工具,...
2024-05-30 標(biāo)簽:數(shù)字萬用表電容 5468 0
DAC(數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器)耦合電容是數(shù)字音頻系統(tǒng)中的一個(gè)重要組成部分,它負(fù)責(zé)將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)。在DAC耦合電容的選擇上,音質(zhì)是一個(gè)非常重要的考慮因...
對(duì)于噪聲敏感的IC電路,為了達(dá)到更好的濾波效果,通常會(huì)選擇使用多個(gè)不同容值的電容并聯(lián)方式,以實(shí)現(xiàn)更寬的濾波頻率,如在IC電源輸入端用1μF、100nF和...
電容容量是不是越大就越好?三點(diǎn)式基于電容的振蕩電路設(shè)計(jì)如何進(jìn)行
由于電容上寄生電感的存在,電容放電回路會(huì)在某個(gè)頻點(diǎn)上發(fā)生諧振,在諧振點(diǎn),電容的阻抗小,因此放電回路的阻抗最小,補(bǔ)充能量的效果也最好。但當(dāng)頻率超過諧振點(diǎn)時(shí)...
2017-05-31 標(biāo)簽:放大器電容電路設(shè)計(jì) 5410 0
云母電容器的介質(zhì)為云母片,電極有金屬箔式的和金屬膜式的。早先的云母電容器是由金屬箔或在云母片表面上噴銀構(gòu)成電極,再按需要的容量將它們疊片后經(jīng)漫漬壓塑在膠...
01 無源晶振和有源晶振 晶振大類分兩種,有源晶振和無源晶振。 無源晶振工作原理簡單的說石英有壓電效應(yīng),電壓形成了,自然就會(huì)產(chǎn)生晶體片形變,再結(jié)合外部電...
我們這里當(dāng)然不是說規(guī)格書在挖坑,規(guī)格書的數(shù)據(jù)都是用儀器一個(gè)個(gè)測出來的,是剛正不阿的存在!
2022-10-17 標(biāo)簽:電容數(shù)據(jù)MOS 5376 0
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