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標(biāo)簽 > 電容充放電
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低功耗技術(shù)(一)動(dòng)態(tài)功耗與靜態(tài)功耗
翻轉(zhuǎn)功耗是由充放電電容引起的動(dòng)態(tài)功耗,其推導(dǎo)過程很簡(jiǎn)單,但是這個(gè)最終的結(jié)果卻十分重要。
介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時(shí)也稱為總柵極電荷??倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
在電路選型運(yùn)算放大器時(shí),用戶經(jīng)常比較關(guān)心運(yùn)放輸出電壓的上升時(shí)間是如何計(jì)算的,上升時(shí)間到底與運(yùn)放的帶寬增益積GBW有關(guān),還是與運(yùn)放的壓擺率SR有關(guān),還是某...
2023-05-18 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器緩沖器電容充放電 1816 0
本文介紹了運(yùn)放電路帶寬增益積 和壓擺率 對(duì)運(yùn)放輸出電壓上升時(shí)間的影響,評(píng)估運(yùn)放輸出電壓的上升時(shí)間,一般采用輸出電壓的 10% ~ 90% 這一段時(shí)間...
2023-04-27 標(biāo)簽:運(yùn)放電路運(yùn)算放大器輸出電壓 1233 0
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