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標(biāo)簽 > 理想二極管
理想二極管:就是正向壓降為0,反向漏電流為0的二極管,這種二極管只存在于理論研究中;理想二極管是一種假設(shè),根據(jù)題目要求假設(shè),如為沒有壓降,沒有損耗,反向不會擊穿等理想狀態(tài)。而實際二極管是達(dá)不到的。目的是為了突出重點,去除次要問題。
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LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二極管控制器,溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊
LM7480 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 6...
LM7481 具有 -55°C 至 125°C 高柵極驅(qū)動的 3V 至 65V 背靠背 NFET理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74810 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V...
LM74910-Q1 帶斷路器、200kHz ACS 以及欠壓和過壓保護(hù)的汽車級理想二極管數(shù)據(jù)手冊
LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制以及過流和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。...
LM74912-Q1 汽車級理想二極管,集成過壓和短路保護(hù),帶故障輸出數(shù)據(jù)手冊
LM74912-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器,具有過壓、欠壓和輸出...
LM74700D-Q1 汽車類 3.2V 至 70V、80μA 電池反向保護(hù)理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74700D-Q1 是一款符合汽車 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管整流器,用于低損耗...
LM74681 100V 理想二極管橋控制器,適用于 PoE 供電應(yīng)用數(shù)據(jù)手冊
LM74681是一款100V理想二極管橋控制器,專為Power over Ethernet (PoE)供電應(yīng)用設(shè)計。它能夠驅(qū)動MOSFET橋,實現(xiàn)高效的...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET控制器監(jiān)控系統(tǒng) 335 0
基于泰克科技產(chǎn)品的芯朋微AP1790系列理想二極管控制器測試方案
傳統(tǒng)方案光伏組串在太陽光照下會持續(xù)帶電,難以關(guān)斷。在發(fā)生火災(zāi)時,消防員有觸電風(fēng)險,無法有效滅火甚至造成生命危險。采用快速關(guān)斷技術(shù),提高光伏系統(tǒng)的安全防空...
在全球范圍內(nèi),參與氣候行動計劃、減少碳排放以及降低化石能源使用已成為普遍共識。這使得新能源在生產(chǎn)生活中的應(yīng)用越來越廣泛。其中,光伏發(fā)電憑借其易于實施、規(guī)...
XC8112/XC8113系列2通道負(fù)載開關(guān)IC產(chǎn)品介紹
本次介紹的是即將量產(chǎn)的新產(chǎn)品,搭載理想二極管功能的2通道負(fù)載開關(guān)IC。
2024-09-02 標(biāo)簽:IC負(fù)載開關(guān)理想二極管 1021 0
華太電子理想二極管在防反接保護(hù)電路、ORing中的應(yīng)用
在電源系統(tǒng)中,通常需要設(shè)計防反接保護(hù),以防止現(xiàn)場電源接線錯誤導(dǎo)致的短路大電流燒毀元器件的情況出現(xiàn)。在防反接保護(hù)電路中,大多數(shù)設(shè)計采用二極管或PMOS管的...
如何在太陽能應(yīng)用旁路電路中使用理想二極管控制器并擴(kuò)展其輸入電壓范圍
本次為大家?guī)淼氖?《如何在太陽能應(yīng)用旁路電路中使用理想二極管控制器并擴(kuò)展其輸入電壓范圍》 。本文將介紹一種采用浮動?xùn)艠O理想二極管控制器的可擴(kuò)展輸入旁路...
然實際的二極管會受到一些非理想因素的影響,但理想二極管模型在電子電路設(shè)計和應(yīng)用中仍然具有廣泛的應(yīng)用。本文將深入探討理想二極管的工作原理和一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域。
超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開關(guān)時間:功率MOS具有極快的開關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時間
你知道一種叫做理想二極管的半導(dǎo)體嗎?用于將電池或適配器連接到電子設(shè)備時的電源電路部分,但與一般的分立半導(dǎo)體相比,其特點是電壓和功率損耗極低。
下面我們逐個分析實現(xiàn)以上各種修剪波形的電路圖。為方便分析,我們假設(shè)下面的二極管都為理想二極管(即:導(dǎo)通時理想二極管上的壓降為0)。當(dāng)完全掌握了以下分析方...
常用的二極管都有正向壓降,不能進(jìn)行微小信號整流,而當(dāng)信號幅度較大時,環(huán)境溫度若升高,整流電壓又會跟著改變,很難構(gòu)成高精度電路。理想的二極管電路可獲得過零...
理想二極管是一種假設(shè),根據(jù)題目要求假設(shè),如為沒有壓降,沒有損耗,反向不會擊穿等理想狀態(tài)。而實際二極管是達(dá)不到的。目的是為了突出重點,去除次要問題。
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