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標(biāo)簽 > 熱設(shè)計(jì)
熱設(shè)計(jì)是隨著通訊和信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而出現(xiàn)的一個(gè)較新的行業(yè),在通訊、安防、PC、汽車、LED以及逆變器等行業(yè)中越來越被重視,成為產(chǎn)品研發(fā)中不可缺少的重要領(lǐng)域。熱設(shè)計(jì)一般由前期的仿真和后期的測(cè)試驗(yàn)證來完成。當(dāng)前的主流的仿真軟件有Flotherm, Icepak,F(xiàn)loEFD, 6SigmaET等
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Simcenter Flotherm BCI-ROM技術(shù):與邊界條件無關(guān)的降階模型可加速電子熱設(shè)計(jì)
優(yōu)勢(shì)比解算完整的3D詳細(xì)模型快40,000倍與完整的3D詳細(xì)模型相比,沒有有效精度損失適用于所有熱環(huán)境–用戶定義傳熱系數(shù)范圍可以在很長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行瞬...
2025-05-28 標(biāo)簽:ROM熱設(shè)計(jì) 225 0
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計(jì)出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
2025-02-26 標(biāo)簽:GaN熱設(shè)計(jì) 570 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件熱設(shè)計(jì) 1396 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 735 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-23 標(biāo)簽:功率器件函數(shù)熱設(shè)計(jì) 965 0
福祿克紅外熱像儀在PCBA熱設(shè)計(jì)的應(yīng)用案例
在印刷電路板組裝(PCBA)的設(shè)計(jì)和制造過程中,熱管理一直是確保產(chǎn)品性能和可靠性的關(guān)鍵因素。隨著電路密度的增加和功率的提升,發(fā)熱問題變得愈發(fā)嚴(yán)峻,在熱設(shè)...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量功率半導(dǎo)體 1171 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...
2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 1425 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-26 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量熱設(shè)計(jì) 1459 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 762 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1563 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1830 0
功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 1684 0
一.熱設(shè)計(jì)的重要性電源產(chǎn)品電子設(shè)備在工作期間所消耗的電能,除了有用功外,大部分轉(zhuǎn)化成熱量散發(fā)。電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量,使內(nèi)部溫度迅速上升,如果不及時(shí)將該熱量...
2024-09-22 標(biāo)簽:電路板熱設(shè)計(jì)熱仿真 1143 0
熱設(shè)計(jì)是什么 熱設(shè)計(jì)介紹
熱設(shè)計(jì)專注于電子設(shè)備、系統(tǒng)和結(jié)構(gòu)在熱環(huán)境下的性能。它涉及對(duì)產(chǎn)品或系統(tǒng)的熱效應(yīng)進(jìn)行分析、預(yù)測(cè)和控制,確保它們?cè)诎踩陀行У臏囟确秶鷥?nèi)運(yùn)行。熱設(shè)計(jì)對(duì)于保障電...
2024-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子設(shè)備熱設(shè)計(jì) 1949 0
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