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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過(guò)的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開(kāi)后,D到S才會(huì)有電流流過(guò)。但實(shí)際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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泄露電流相對(duì)比較小,一般零點(diǎn)幾毫安,比如220VAC/0.42ma,漏電流相對(duì)較大,一半幾毫安到幾十毫安,比如2000VAC/5ma,當(dāng)然也有漏電流有求...
STM32單片機(jī)的應(yīng)用筆記 奇怪的NRST 管腳異常復(fù)位問(wèn)題
關(guān)鍵字:漏電流, ADC 目錄預(yù)覽 1 引言? 2 復(fù)位問(wèn)題及排查 3 總結(jié) 1. 引言 本文探討一個(gè)奇怪的MCU NRST 管腳異常復(fù)位現(xiàn)象。 2.?...
高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對(duì)溝道遷移率的影響
器件溝道長(zhǎng)度為1μm,HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm;SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm;P襯底摻雜濃度4E15cm^-3;柵電極為鋁金屬。
非對(duì)稱(chēng)晶閘管陰極短路點(diǎn)設(shè)計(jì)
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率(dv/dt)高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率(di...
非對(duì)稱(chēng)晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅱ
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率(dv/dt)高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率(di...
在空調(diào)安裝維修時(shí),經(jīng)常使用鉗表測(cè)電流,使用方便快捷。在用鉗表測(cè)電流時(shí),只需要將檔位打到適當(dāng)量程,然后鉗住被測(cè)電流的線(xiàn)路即可,如下圖就是測(cè)火線(xiàn)電流的示例。...
在安規(guī)測(cè)試中,有耐壓測(cè)試和漏電流測(cè)試兩項(xiàng),發(fā)現(xiàn)兩者的測(cè)試連接方式幾乎一致,一端接零火線(xiàn),一端接外殼,而且耐壓合不合格看的就是電流有沒(méi)有小于要求值,兩者原...
?2022年,集成電路半導(dǎo)體行業(yè)最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖,成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵詞,也是群體焦慮。在全球市場(chǎng),有人比喻EDA是“...
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)總漏電流由驅(qū)動(dòng)器本身漏電流、電機(jī)電纜線(xiàn)漏電流、電機(jī)漏電流組成。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流大小取決于驅(qū)動(dòng)器逆變IGBT的開(kāi)關(guān)頻率,逆變IGBT的開(kāi)關(guān)的速度,直...
2023-05-17 標(biāo)簽:變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流 1798 0
驅(qū)動(dòng)器主電路普遍采用電壓型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),主電路如圖1所示,主要包括整流電路、濾波電路、逆變電路等部分,實(shí)現(xiàn)交-直-交變換。
2023-05-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器濾波電路逆變電路 1424 0
二極管是一種半導(dǎo)體器件,是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì),只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。這種特性使得二極管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。然而,...
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí),以期更好地了解此類(lèi)晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
二極管是一種半導(dǎo)體器件,是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì),只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。
2023-04-17 標(biāo)簽:二極管電子電路半導(dǎo)體器件 3155 0
低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。
2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4670 0
小電流接地系統(tǒng)中為什么采用中性點(diǎn)經(jīng)消弧線(xiàn)圈接地呢?
中性點(diǎn)經(jīng)消弧線(xiàn)圈接地方式,是在中性點(diǎn)和大地之間接入一個(gè)電感消弧線(xiàn)圈,在系統(tǒng)發(fā)生單相接地故障時(shí),利用消弧線(xiàn)圈的電感電流對(duì)接地電容電流進(jìn)行補(bǔ)償,使流過(guò)接地點(diǎn)...
2023-04-01 標(biāo)簽:電容器電力系統(tǒng)電感電流 7157 0
SS510是什么二極管?是用在開(kāi)關(guān)電源的輸出二極管嗎?
SS510是肖特基二極管,由硅材料制成,具有較低的反向漏電流和快速的開(kāi)關(guān)速度,通常被用于高速開(kāi)關(guān)電路和高效能量轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。
2023-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 9263 0
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