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標(biāo)簽 > 漏電流

漏電流

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漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過(guò)的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開(kāi)后,D到S才會(huì)有電流流過(guò)。但實(shí)際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。

文章:245個(gè) 瀏覽:17433 帖子:35個(gè)

漏電流技術(shù)

別再把“泄露電流”與“耐壓漏電流”混淆了!

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泄露電流相對(duì)比較小,一般零點(diǎn)幾毫安,比如220VAC/0.42ma,漏電流相對(duì)較大,一半幾毫安到幾十毫安,比如2000VAC/5ma,當(dāng)然也有漏電流有求...

2023-07-16 標(biāo)簽:電容電氣漏電流 5208 0

STM32單片機(jī)的應(yīng)用筆記 奇怪的NRST 管腳異常復(fù)位問(wèn)題

STM32單片機(jī)的應(yīng)用筆記 奇怪的NRST 管腳異常復(fù)位問(wèn)題

關(guān)鍵字:漏電流, ADC 目錄預(yù)覽 1 引言? 2 復(fù)位問(wèn)題及排查 3 總結(jié) 1. 引言 本文探討一個(gè)奇怪的MCU NRST 管腳異常復(fù)位現(xiàn)象。 2.?...

2023-07-13 標(biāo)簽:單片機(jī)adcSTM32 1.2萬(wàn) 0

高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對(duì)溝道遷移率的影響

高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對(duì)溝道遷移率的影響

器件溝道長(zhǎng)度為1μm,HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm;SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm;P襯底摻雜濃度4E15cm^-3;柵電極為鋁金屬。

2023-07-05 標(biāo)簽:晶體管TDD漏電流 1231 0

非對(duì)稱(chēng)晶閘管陰極短路點(diǎn)設(shè)計(jì)

非對(duì)稱(chēng)晶閘管陰極短路點(diǎn)設(shè)計(jì)

該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率(dv/dt)高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率(di...

2023-07-05 標(biāo)簽:三極管晶閘管NPN晶體管 849 0

非對(duì)稱(chēng)晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅱ

非對(duì)稱(chēng)晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅱ

該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率(dv/dt)高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率(di...

2023-07-05 標(biāo)簽:晶閘管額定電壓漏電流 449 0

空調(diào)漏電能否用鉗表測(cè)量漏電流呢?

空調(diào)漏電能否用鉗表測(cè)量漏電流呢?

在空調(diào)安裝維修時(shí),經(jīng)常使用鉗表測(cè)電流,使用方便快捷。在用鉗表測(cè)電流時(shí),只需要將檔位打到適當(dāng)量程,然后鉗住被測(cè)電流的線(xiàn)路即可,如下圖就是測(cè)火線(xiàn)電流的示例。...

2023-06-29 標(biāo)簽:漏電保護(hù)器互感器漏電流 2079 0

PN結(jié)二極管的工作原理/特性和應(yīng)用

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二極管是一種半導(dǎo)體器件,它具有特殊的特性,當(dāng)電流從一個(gè)方向流出時(shí)允許電流,如果電流方向相反,則阻塞電流。

2023-06-18 標(biāo)簽:二極管晶體管硅二極管 2888 0

耐壓和漏電流測(cè)試區(qū)別

在安規(guī)測(cè)試中,有耐壓測(cè)試和漏電流測(cè)試兩項(xiàng),發(fā)現(xiàn)兩者的測(cè)試連接方式幾乎一致,一端接零火線(xiàn),一端接外殼,而且耐壓合不合格看的就是電流有沒(méi)有小于要求值,兩者原...

2023-06-05 標(biāo)簽:地線(xiàn)漏電流耐壓測(cè)試 3592 0

BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

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?2022年,集成電路半導(dǎo)體行業(yè)最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖,成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵詞,也是群體焦慮。在全球市場(chǎng),有人比喻EDA是“...

2023-05-24 標(biāo)簽:芯片模型漏電流 2981 0

如何降低驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流

如何降低驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流

驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)總漏電流由驅(qū)動(dòng)器本身漏電流、電機(jī)電纜線(xiàn)漏電流、電機(jī)漏電流組成。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流大小取決于驅(qū)動(dòng)器逆變IGBT的開(kāi)關(guān)頻率,逆變IGBT的開(kāi)關(guān)的速度,直...

2023-05-17 標(biāo)簽:變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流 1798 0

驅(qū)動(dòng)器漏電流產(chǎn)生原因

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驅(qū)動(dòng)器主電路普遍采用電壓型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),主電路如圖1所示,主要包括整流電路、濾波電路、逆變電路等部分,實(shí)現(xiàn)交-直-交變換。

2023-05-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器濾波電路逆變電路 1424 0

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大家都知道,電容器是一種能夠儲(chǔ)存電荷的器件,它由兩個(gè)相對(duì)的導(dǎo)體極板和中間的絕緣介質(zhì)組成。

2023-05-06 標(biāo)簽:電容器漏電流電源充電 2185 0

二極管為什么不能并聯(lián)使用?

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二極管是一種半導(dǎo)體器件,是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì),只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。這種特性使得二極管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。然而,...

2023-05-04 標(biāo)簽:并聯(lián)二極管半導(dǎo)體 3803 0

了解短通道MOS晶體管中的漏電流元件

本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí),以期更好地了解此類(lèi)晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...

2023-05-03 標(biāo)簽:晶體管MOS漏電流 2106 0

MOS晶體管漏電流的6個(gè)原因

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漏電流會(huì)導(dǎo)致功耗,尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。 在討論MOS晶體管時(shí),短通道器件中基本上有六種類(lèi)型的漏電流元件: ...

2023-05-03 標(biāo)簽:晶體管MOS漏電流 1.4萬(wàn) 0

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二極管是一種半導(dǎo)體器件,是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì),只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。

2023-04-17 標(biāo)簽:二極管電子電路半導(dǎo)體器件 3155 0

芯片功耗的IR分析

低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。

2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4670 0

小電流接地系統(tǒng)中為什么采用中性點(diǎn)經(jīng)消弧線(xiàn)圈接地呢?

小電流接地系統(tǒng)中為什么采用中性點(diǎn)經(jīng)消弧線(xiàn)圈接地呢?

中性點(diǎn)經(jīng)消弧線(xiàn)圈接地方式,是在中性點(diǎn)和大地之間接入一個(gè)電感消弧線(xiàn)圈,在系統(tǒng)發(fā)生單相接地故障時(shí),利用消弧線(xiàn)圈的電感電流對(duì)接地電容電流進(jìn)行補(bǔ)償,使流過(guò)接地點(diǎn)...

2023-04-01 標(biāo)簽:電容器電力系統(tǒng)電感電流 7157 0

SS510是什么二極管?是用在開(kāi)關(guān)電源的輸出二極管嗎?

SS510是肖特基二極管,由硅材料制成,具有較低的反向漏電流和快速的開(kāi)關(guān)速度,通常被用于高速開(kāi)關(guān)電路和高效能量轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。

2023-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 9263 0

電容器漏電流是什么?如何測(cè)量漏電流?

電容器漏電流是什么?如何測(cè)量漏電流?

  在理想的情況下電容兩個(gè)極板間是不會(huì)有電流流過(guò)的,但是由于它們之間的電介質(zhì)并不能完全的絕緣,因此在直流電壓的作用下就會(huì)有少量的電流流過(guò),就稱(chēng)為漏電流。

2023-02-21 標(biāo)簽:串聯(lián)電容器電流 2.3萬(wàn) 0

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    加速度傳感器
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    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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    HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核,總線(xiàn)速度8MHZ;HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心,簡(jiǎn)稱(chēng)S12系列,典型的S12總線(xiàn)速度可以達(dá)到25MHZ。
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  • 聲紋識(shí)別
    聲紋識(shí)別
    +關(guān)注
    聲紋識(shí)別,生物識(shí)別技術(shù)的一種,也稱(chēng)為說(shuō)話(huà)人識(shí)別,包括說(shuō)話(huà)人辨認(rèn)和說(shuō)話(huà)人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù),如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù),而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
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    Buck-Boost
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    buck是降壓型電路,boost是升壓型電路,可以分開(kāi)單獨(dú)使用,buck-boost電路就是把2種電路合在一起,可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能,常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種,第一種是輸入與輸出電壓極性相反,只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管,可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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    識(shí)別技術(shù)
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    所謂識(shí)別技術(shù),也稱(chēng)為自動(dòng)識(shí)別技術(shù),通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息,并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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