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標簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設在正向偏置,G-S反向偏置,導電溝道打開后,D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導致D-S有漏電流。
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電子元件中的電解電容器,以其高電容值和低內(nèi)阻特性,在電源平滑、信號耦合和能量存儲等眾多電路中發(fā)揮著不可或缺的作用。
在電子電路的世界里,電容器是基礎且重要的組件之一。它們在調(diào)節(jié)電流、平滑電壓和儲存能量等方面發(fā)揮著關鍵作用。
變?nèi)荻O管的工作原理 變?nèi)荻O管的作用特點
變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應;
2024-04-04 標簽:半導體變?nèi)荻O管可變電容器 2263 0
淺析運算放大器進入鉗位狀態(tài)的原理(以LM358為例)
運算放大器(簡稱“運放”)是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實際電路中,通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡共同組成某種功能模塊。
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時需考慮的關鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。
總的片上功耗 Total On-Chip Power: 總的片上功耗是器件內(nèi)部的功耗,等同于器件的靜態(tài)功耗加上設計功耗,也稱為熱功耗。
三相電動機一開就跳閘可能有多種原因,以下將從電機本身和電源兩個方面進行詳細解析。 一、電機本身原因: 電機絕緣老化或損壞:電機絕緣老化或受損會造成絕緣阻...
講講在嵌入式系統(tǒng)設計中進行DC/DC電源模塊選型時遇到的問題
隨著電源模塊的出現(xiàn)與發(fā)展,嵌入式工程師開始從繁重的電源設計工作中解脫出來,但電源模塊的種類也越來越多,我們在日常的電路設計中應該如何考慮選型呢?
2024-03-04 標簽:嵌入式系統(tǒng)輸出電壓電源模塊 1104 0
開關二極管是一種常用的半導體器件,其原理是利用PN結(jié)的導電特性來控制電流的流動。
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)電路是一種常見的電子邏輯門電路技術,由一個PMOS(P型金屬氧...
接地線是一種用于保護電氣設備和人身安全的重要電氣設備,其作用主要包括以下幾個方面: 安全保護: 接地線能夠?qū)㈦姎庠O備和大地之間建立良好的導電通路,一方面...
什么是零線 (N) 和地線 (PE) ?火線L、地線PE、零線N的區(qū)別
在電力系統(tǒng)中,零線(N) 和地線 (PE) 是兩種不同的電線,它們在電路中扮演著不同的角色。本文將介紹零線和地線的定義、作用以及火線L、地線PE、零線N...
2024-02-17 標簽:電力系統(tǒng)電源電壓漏電流 3.1萬 0
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