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清洗

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清洗技術

用于單晶片清洗的超臨界流體

使用超臨界流體去除污染物的過程，即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質(zhì)。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度，使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜，并...

2022-04-12 標簽：晶圓工藝清洗 1386 0

硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為

隨著器件的高集成化，對高質(zhì)量硅晶片的期望。高質(zhì)量晶片是指晶體質(zhì)量、加工質(zhì)量以及表面質(zhì)量優(yōu)異的晶片。此外，芯片尺寸的擴大、制造成本的增加等問題受到重視，近...

2022-04-18 標簽：硅晶圓清洗 1348 0

硅晶片的蝕刻預處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-...

2022-04-13 標簽：蝕刻清洗硅晶片 1254 0

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術

本文的目標是討論一種新技術，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。將開發(fā)濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合，導致了用于光...

2022-05-07 標簽：清洗單晶片 1108 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長...

2022-04-15 標簽：晶片 GaN 清洗 1073 0

利用臭氧微泡清洗半導體晶片

小氣泡顯示出與普通氣泡不同的行為。普通氣泡在水中急速浮起，在表面破裂消失。但是，如果成為直徑小于50μm的氣泡，則會慢慢浮起并縮小，最終在水中消失。在水...

2022-04-20 標簽：半導體晶片清洗 1051 0

外延沉積前原位工藝清洗的效果

本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物，此外，該過程是在原位進行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉移到?jīng)_...

2022-04-12 標簽：工藝晶片清洗 1035 0

EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底損傷性能

在本報告中，我們?nèi)A林科納探討了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常規(guī)氣溶膠噴霧清潔系統(tǒng)中的微粒去除和基底損傷性能。在300毫米和200毫米的...

2022-05-07 標簽：晶片清洗微粒 1020 0

關于PVA刷摩擦表面的清洗技術

本文簡要綜述了所提出的清洗機制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介紹了P...

2022-04-21 標簽：PVA 清洗 1008 0

使用高頻超聲波的半導體單片清洗中的微粒子去除研究

本文使用高頻超聲波的半導體單片清洗中的微粒子去除進行了研究。水中的超聲波在波導管內(nèi)傳播時，根據(jù)波導管的內(nèi)徑形成平面波以外的波導管模式，此時，通過LDV測...

2022-04-14 標簽：半導體超聲波清洗 995 0

污染和清洗順序對堿性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

2022-05-18 標簽：晶片清洗刻蝕 912 0

PVA刷接觸式清洗過程中超細顆粒清洗現(xiàn)象

為了LSI的小型·高性能化，為了實現(xiàn)高精度的基板表面粗糙度，在制造工序中推進了微細且多層布線化。要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP（Ch...

2022-04-15 標簽：納米清洗顆粒 902 0

濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度...

2022-04-14 標簽：清洗硅晶片 894 0

半導體清洗液中溶解氫氣對晶圓清洗的影響

在最近的半導體清潔方面，以生物堿為基礎的RCA清潔法包括大量的超純和化學液消耗量以及清潔時多余薄膜的損失；由于環(huán)境問題，對新的新精液和清潔方法的研究正...

2022-04-14 標簽：半導體蝕刻清洗 794 0

聚乙烯醇刷非接觸洗滌對CMP后清洗的影響

全接觸洗滌被認為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動力阻力，在晶片上安裝了壓電傳感器（圓片型）。為了研...

2022-05-06 標簽：晶圓 CMP 清洗 694 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對器件性能的影響

退火后對結特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預期和一致的器件性能至關重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導致:結蝕刻、摻雜劑漂白和結氧化，植入條件可以增強這些效應，令...

2022-05-06 標簽：蝕刻晶片清洗 689 0

兆聲功率、溫度和時間的相互影響

本文研究了兆聲功率、溫度和時間的相互影響，在兆聲功率和中高溫下進行的稀釋化學反應被證明對小顆粒再利用是非常有效的。數(shù)據(jù)顯示，當在中等溫度(例如45℃)下...

2022-04-19 標簽：功率測量清洗 653 0

詳細探討晶片清洗和紋理的相互作用

本文將詳細探討清洗和紋理的相互作用，在清潔過程中使用的化學類型對平等有著深遠的影響，并在紋理中產(chǎn)生不可預測的影響。

2022-04-18 標簽：晶片清洗 635 0

一種新型的全化學晶片清洗技術

本文介紹了新型的全化學晶片清洗技術，研究它們是否可以提供更低的水和化學消耗的能力，能否提供每種技術的工藝應用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...

2022-04-21 標簽：工藝晶片清洗 480 0

單晶硅清洗廢液處理方法有哪些

很多人接觸過，或者是存在好奇與疑問，很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些？那今天就來給大家解密一下，主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾：可...

2025-06-30 標簽：晶硅清洗 104 0

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