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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代!

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2024-09-23 標(biāo)簽:功率氮化鎵12英寸晶圓 6578 0

碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用  | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

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SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...

2024-09-16 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 1387 0

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動(dòng)行業(yè)變革

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●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù),英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng)●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施,英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300...

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英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動(dòng)行業(yè)變革

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40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售!

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基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益

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GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮,預(yù)估2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破43億美元

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華燦光電在氮化鎵領(lǐng)域的進(jìn)展概述

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2024-07-24 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率元件 1102 0

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adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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