完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章：1593個 瀏覽：118059次 帖子：77個
羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領域建立戰(zhàn)略合作伙伴關系
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
在當今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設計重點是最大限度地提高效率和功率密度，同時最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當前的設計實踐，以...
NexGen垂直GaN半導體 預計2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高...
至2023整個財年，英飛凌預計營收將達到約155億歐元（±5億歐元）。如果營收為預測區(qū)間的中點，則調(diào)整后的毛利潤率預計將達到45%左右，利潤率在25%左...
據(jù)悉，10 月 17 日， 中芯聚源私募基金管理（上海）有限公司 （以下簡稱“中芯聚源”）董事長高永崗、董事總經(jīng)理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...
突破電力效能邊界：ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場！
?在科技飛速發(fā)展的當下，電子元件的創(chuàng)新成為推動各領域進步的關鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場效應晶體管（...
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開關IC專為服務器、個人電腦待機電源以及功率高達220W、電壓高達1250V的工業(yè)...
有獎直播 | 羅姆氮化鎵電源技術開創(chuàng)高效小型化未來
ROHM擁有多年電源產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗，近年更以寬能隙半導體GaN產(chǎn)品線，提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導通電阻加上優(yōu)異的高速開關性能，絕對值得您深入了解。
國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進口GaN功率半導體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進口GaN功率半導體，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應用場景上的優(yōu)勢，使其在汽車、工業(yè)和新能源領域...
納微半導體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電機馬達和工業(yè)領域的應用新進展。
2025-04-27 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導體 476 0
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護機制（如短路保護），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進行。高頻噪聲問題需協(xié)同芯...
從去年至今，我國氧化鎵半導體制備技術已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導體制備技術越來越成熟。
浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn)：實現(xiàn)性能突破的關鍵
GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業(yè)控制等...
似乎我們的所有設備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒有想過，有一天我們的電子設備也能在電網(wǎng)需要時，將儲存的電能反向輸送。
芯干線榮獲2025中國IC設計成就獎之年度最佳功率器件/寬禁帶器件
此前，2025年3月27-28日，全球前沿的電子行業(yè)媒體機構 AspenCore，在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國際集成電路展覽會暨研討會(IIC S...
在新能源汽車市場競爭愈發(fā)激烈的當下,創(chuàng)新技術無疑是車企率先破局的利刃。日前,在混動、純電領域均占據(jù)行業(yè)領先優(yōu)勢?的浩思動力HorsePowertrain...
據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報道，該分院計算數(shù)學、數(shù)學地質(zhì)物理所、半導體物理所會同德國保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學研究所（柏林）的聯(lián)合科研團隊計算了激子（一種準粒...
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運行能力。
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術 | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)航空路6號手機智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
