通用適配器來(lái)了，氮化鎵技術(shù)做后盾

在過(guò)去的半個(gè)世紀(jì)，硅一直是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)，原因很顯然：到現(xiàn)在為止，硅是大規(guī)模應(yīng)用于最新消費(fèi)、商業(yè)和工業(yè)技術(shù)最完美的半導(dǎo)體材料。但是現(xiàn)在，面對(duì)一種可提...

2017-05-22 標(biāo)簽：適配器氮化鎵da8801 2296 0

氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)理想的電機(jī)逆變器功率損耗

與開(kāi)關(guān)模式電源不同，三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器通常使用低開(kāi)關(guān)頻率；只有幾萬(wàn)赫茲。大功率電機(jī)尺寸較大，具有高電感繞組；因此，即使在低開(kāi)關(guān)頻率下，電流紋波也是可以接...

2017-04-26 標(biāo)簽：逆變器氮化鎵 2887 0

采用 GaN 能讓你重新認(rèn)識(shí)太陽(yáng)能逆變器

太平洋煤氣電力公司為住宅發(fā)起了于2016年7月28日星期四舉行的智能日活動(dòng)。記得在電費(fèi)最高的下午2點(diǎn)至7點(diǎn)減少用電量，節(jié)省能源。在德克薩斯和加利福尼亞都...

2017-04-26 標(biāo)簽：逆變器氮化鎵 3926 0

準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間

當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

2017-04-18 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵lmg5200 3543 0

GaN 器件解救 MOSFET 體二極管反向恢復(fù)

作為電源工程師，我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級(jí)的場(chǎng)景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡(jiǎn)單（圖1），以及平均電流的計(jì)算是多么地輕松...

2017-04-18 標(biāo)簽：mosfet氮化鎵 1.4萬(wàn) 0

用 Hercules 開(kāi)發(fā)套件來(lái)控制 GaN 功率級(jí)——第 1 部分

今天的博文是一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目：你將用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、一個(gè)Hercules 微控制器和一個(gè)滾輪來(lái)調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和固...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵hercules 1215 0

GaN 硅橋反向恢復(fù)測(cè)量

測(cè)量一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器中的反向恢復(fù)不太容易。電流探頭太大，并且會(huì)大幅增加功率級(jí)環(huán)路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個(gè)分流電阻器怎么樣？這聽(tīng)起來(lái)...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵evm 2215 0

加快氮化鎵市場(chǎng)應(yīng)用滲透，現(xiàn)在行動(dòng)起來(lái)！

我經(jīng)常感到的奇怪的是，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 687 0

用 Hercules 開(kāi)發(fā)套件來(lái)控制 GaN 功率級(jí)——第 2 部分

在我的上一篇博文中，我為大家介紹了一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目：用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、一個(gè)Hercules 微控制器和一個(gè)滾輪來(lái)調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我講到...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵hercules 1334 0

氮化鎵已經(jīng)為數(shù)字控制器做好準(zhǔn)備

術(shù)語(yǔ)準(zhǔn)備就緒竟然有如此多不同的含義，真是有趣。若您兒孫滿堂，準(zhǔn)備就緒是指您需要輪流做許多準(zhǔn)備；我們不會(huì)離開(kāi)30分鐘。在飛機(jī)上，準(zhǔn)備就緒意味著收起您的手機(jī)...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵電源控制器 1086 0