科學(xué)家合作研發(fā)出一項(xiàng)調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)

研究團(tuán)隊(duì)描述了通過簡單改變向器件提供工作電流的時(shí)間順序，對基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。

2019-05-08 標(biāo)簽：LED顯示屏氮化鎵 2777 0

常見的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.2萬 0

5G時(shí)代,硅基氮化鎵市場潛力巨大!

未來十年，氮化鎵市場規(guī)模有望突破10億美元。

2019-04-28 標(biāo)簽：氮化鎵5G 1.4萬 0

Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選

據(jù)悉，Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市，價(jià)格為 54.99 美元（369 RMB）。

2019-04-28 標(biāo)簽：氮化鎵Anker 4348 0

為何現(xiàn)在進(jìn)入氮化鎵射頻市場機(jī)會已經(jīng)不大?

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示

2019-04-26 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 1.1萬 0

氮化鎵遇到USB PD快充，氮化鎵充電器成為展會亮點(diǎn)

來自產(chǎn)業(yè)鏈的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2019年，搭載USB Type-C接口的設(shè)備出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到20億臺。其中USB Type-C在筆記本、臺式電腦中的滲透率將...

2019-04-25 標(biāo)簽：充電器適配器氮化鎵 7262 0

電信和國防應(yīng)用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專利之爭全面開啟

隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達(dá)到13億美元以上。

2019-04-19 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 3711 0

滿足全部高功率需求的氮化鎵放大器產(chǎn)品介紹

ADI提供GaN IC產(chǎn)品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。

2019-06-13 標(biāo)簽：放大器功率氮化鎵 3794 0

Plessey已開發(fā)出專有的二維平面硅基氮化鎵工藝

為了產(chǎn)生綠光，LED制造商通常將磷光體或量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換材料應(yīng)用在天然藍(lán)色LED上。然后，這些材料將短波長（通常為450nm）藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅色或綠色波長，轉(zhuǎn)換效...

2019-04-16 標(biāo)簽：led顯示器氮化鎵 3368 0

陳小龍：碳化硅晶圓國產(chǎn)化先鋒

“創(chuàng)新從來都是九死一生”，道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上，未來還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻，還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...

2019-04-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5097 0

射頻氮化鎵領(lǐng)域的知識產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

目前，有30多家廠商申請了與GaN MMIC相關(guān)的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合。科銳在該領(lǐng)域擁有最強(qiáng)大的專利布局，但作為后來者的東芝是Ga...

2019-04-11 標(biāo)簽：射頻氮化鎵半導(dǎo)體器件 8327 0

浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目啟動 計(jì)劃總投資達(dá)25億元

嘉興日報(bào)消息稱，日前浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目舉行啟動典禮。

2019-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 6613 0

曝69W雙USB-C口氮化鎵充電器進(jìn)入試產(chǎn)階段 將支持VOOC等超級快充

此前，我們見過了30W、45W、65W的氮化鎵USB PD充電器，但都是單USB-C接口的，今天從供應(yīng)鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器，總功率69W。

2019-03-31 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充 2987 0

AirFuel頒發(fā)技術(shù)領(lǐng)袖獎 表彰無線電力行業(yè)杰出貢獻(xiàn)者

2019年3月12日，由新一代無線充電技術(shù)領(lǐng)軍者AirFuel無線充電聯(lián)盟與天地互連聯(lián)合舉辦的“第二屆無線充電大會暨開發(fā)者論壇”在深圳蛇口南海希爾頓酒店...

2019-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵無線充電Energous 1268 0

可在25至300攝氏度的溫度范圍內(nèi)工作的氮化鎵存儲器

在可耐高溫的下一代電子產(chǎn)品方面，Zhao和他的團(tuán)隊(duì)最近在IEEE Electron Device Letters上介紹了他們研發(fā)的可在25至300攝氏度...

2019-03-21 標(biāo)簽：存儲器電子器件氮化鎵 6173 0

美研究員設(shè)計(jì)出垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu),有助提升LED顯示器效率

美國羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高M(jìn)ic...

2019-03-15 標(biāo)簽：led氮化鎵 4553 0

是時(shí)候采用氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)DC/DC轉(zhuǎn)換器了

很多工程師提問關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體，因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個(gè)...

2019-03-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件氮化鎵 6439 0

新型存儲設(shè)計(jì)方案出爐,耐受高溫,助力人類登陸火星

這種基于氮化鎵的新型存儲器件能夠在300攝氏度條件下保持運(yùn)行。

2019-03-13 標(biāo)簽：存儲器氮化鎵 3232 0

帶你走進(jìn)神奇的氮化鎵！

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好...

2019-03-12 標(biāo)簽：氮化鎵 3.6萬 0

濟(jì)寧高新區(qū)舉辦2019年第一批重大項(xiàng)目集中開工儀式

山大氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學(xué)進(jìn)行產(chǎn)學(xué)研合作，將氮化鎵單晶襯底實(shí)驗(yàn)室成果實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資15億元，總建...

2019-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬 0