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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Power Integrations收購(gòu)GaN開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)
近日,知名的高壓集成電路和高效功率變換方案提供商Power Integrations(PI)宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)計(jì)劃。該公司將于2024年7月完成對(duì)垂直氮...
在設(shè)計(jì)基于氮化鎵的轉(zhuǎn)換器七年后,我們可以肯定地說(shuō),從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉(zhuǎn)換是一個(gè)革命性事件,其規(guī)??膳c 70 年代后期的功率 MOS...
2022-08-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 762 0
Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dysse...
國(guó)產(chǎn)GaN迎來(lái)1700V突破!
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露,實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括:1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺(tái) 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展
重點(diǎn)摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶(hù)在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)...
2023-09-28 標(biāo)簽:氮化鎵 757 0
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導(dǎo)體,廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制,特別是在器...
Power Integrations榮獲兩項(xiàng)2023年電源行業(yè)配套品牌評(píng)選大獎(jiǎng)
由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第二屆年度電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)已經(jīng)落下帷幕,經(jīng)過(guò)激烈的競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格的評(píng)審過(guò)程,所有獎(jiǎng)項(xiàng)的評(píng)選工作現(xiàn)已完成。
InnoSwitch IC銷(xiāo)量突破10億顆! Power Integrations繼續(xù)保持良好勢(shì)頭
InnoSwitch器件體現(xiàn)了Power Integrations的承諾,那就是:在實(shí)現(xiàn)技術(shù)上行業(yè)率先創(chuàng)新的同時(shí),降低能耗并減少電子制造中有害物質(zhì)的使用。
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時(shí)讓印度農(nóng)民無(wú)需再使用遠(yuǎn)距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機(jī)。
2024-04-22 標(biāo)簽:人機(jī)交互電機(jī)控制物聯(lián)網(wǎng) 750 0
Power Integrations榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)”在深圳隆重舉行。此次評(píng)選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成就的企業(yè),嚴(yán)格的...
CGD:氮化鎵技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高效率的“版本答案”
又到了歲末年初之際,回顧過(guò)去的2024年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有增長(zhǎng)也有陣痛,復(fù)盤(pán)2024年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況,有哪些長(zhǎng)足的進(jìn)展又有哪些短板?展望2025年,半導(dǎo)體...
2024-12-25 標(biāo)簽:氮化鎵 749 0
開(kāi)關(guān)模式電源(Switch Mode Power Supply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。
2023-10-11 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源smps氮化鎵 747 0
貿(mào)澤電子備貨Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)
貿(mào)澤備貨的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的擴(kuò)展頻率范圍,并在13.75至14.5GHz的標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)55W的飽和輸出功率。
GaN 提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率,使其成為制造高效電壓轉(zhuǎn)換器中硅的可行替代品。與硅相比,GaN 具有許多優(yōu)勢(shì),包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模
德州儀器(TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)近日宣布,公司基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開(kāi)始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn),加上已有 GaN ...
納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案
氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 標(biāo)簽:氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 733 0
CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...
GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對(duì)零排放挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布,其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大,通過(guò)加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命,應(yīng)對(duì)凈零...
2021-12-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 731 0
CGD官宣突破性技術(shù):以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動(dòng)超百億美元新能源車(chē)主驅(qū)逆變器市場(chǎng)
通過(guò)將ICeGaN HEMT與IGBT混合并聯(lián)集成至單一封裝,實(shí)現(xiàn)高效率與降本雙贏 ? 2025年3月10日,英國(guó)劍橋訊——Cambridge GaN ...
2025-03-11 標(biāo)簽:氮化鎵 729 0
晶湛半導(dǎo)體與Incize合作,推動(dòng)下一代硅基氮化鎵的發(fā)展
4月23日,在比利時(shí)新魯汶的愛(ài)因斯坦高科技園區(qū),晶湛半導(dǎo)體和 Incize 達(dá)成了一份戰(zhàn)略合作備忘錄,雙方將在硅基氮化鎵外延技術(shù)的建模、仿真和測(cè)試方面進(jìn)...
2024-05-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓IC設(shè)計(jì) 729 0
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