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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN Systems和安森美半導體的半橋評估板展示氮化鎵的下一個性能飛躍
這評估板的優(yōu)勢包括顯著減小損耗、重量、尺寸（布板尺寸可減小達80％）和系統(tǒng)成本（可節(jié)省達60％的BOM成本），非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源...
Nexperia推出了一款適用于電動汽車中的Nexperia氮化鎵器件
GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m）以及快速的開關切換；效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標是高...
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019年，氮化鎵（GaN）方案與技術掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”
隨著2019年5G的正式布局，高效化和智能化已經(jīng)成為每一個照明企業(yè)都無法回避的問題，各大企業(yè)紛紛布局，通過技術創(chuàng)新實現(xiàn)。其中氮化鎵（GaN）的方案與技術...
博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目落戶嘉興科技城 總投資25億元
11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉...
耐威科技擬在青島投資建設氮化鎵晶圓制造項目 利于公司在第三代半導體領域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局
11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設氮化鎵（GaN）晶圓制造項目。
據(jù)盤錦高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報道，近日，遼寧百思特達半導體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設，這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個月時間。
2019-11-05 標簽：氮化鎵 6906 0
Anker新品發(fā)布會上推出多款充電周邊產(chǎn)品
10月24日下午消息，Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會，發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。
重度依賴手機已經(jīng)成為一種社會常態(tài)，很多人每天打開屏幕的次數(shù)不下百次。這讓無數(shù)人患上了“電量焦慮”，插上充電器的那一刻才能得以平息。雖然每天都在用充電器，...
貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動器 高頻應用的好選擇
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動器，經(jīng)過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達成全球分銷協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...
OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術亮點全揭曉！
2019年9月17日，OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...
耐威科技第三代半導體材料制造項目正式投產(chǎn) 將打造世界級氮化鎵材料公司
9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）投資建設...
聚力成半導體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進一步推動國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展
重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示，近日，聚力成半導體（重慶）有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。
氮化鎵（GaN）作為半導體第三代材料，近年來高頻進入業(yè)界視野。各大IC廠商先后涉足氮化鎵領域，源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導率等特性，確立了其在...
DC/DC 轉換器中半導體器件的高頻開關特性是主要的傳導和輻射發(fā)射源。本文章系列 的第 2 部分回顧了 DC/DC 轉換器的差模 （DM） 和共模 （C...
新的氮化鎵IC產(chǎn)品將進一步鞏固PI的優(yōu)勢地位
這款產(chǎn)品的發(fā)布日期專門選在了PI二季度財報當天，足見該技術對PI未來的重要性。PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實現(xiàn)高效率...
氮化鎵市場需求有望在5G時代迎來爆發(fā)式增長 我國多家企業(yè)積極布局
日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點關注。
紫外線指數(shù)是指當太陽在天空中的位置最高時（一般是在中午前后，即從上午十時至下午三時的時間段里），到達地球表面的太陽光線中的紫外線輻射對人體皮膚的可能損傷...
對于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應用場效應板來解決的。當然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進行對比，比如用于PA和功率轉換等。
2019-09-08 標簽：數(shù)據(jù)功率氮化鎵 7222 0
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