德州儀器高度集成GaN解決方案可優(yōu)化成本和功耗

當(dāng)我們?yōu)殡妱?dòng)汽車（EV）電源管理技術(shù)發(fā)明更高效的集成電路，我們的客戶就可以設(shè)計(jì)出更高效、更經(jīng)濟(jì)實(shí)用的汽車，進(jìn)而減少?gòu)U氣排放，保護(hù)環(huán)境。 許多駕駛員因里程...

2021-01-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車控制器氮化鎵 1592 0

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET，為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準(zhǔn)

EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20...

2020-09-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達(dá) 1324 0

Power Integrations推出LYTSwitch-6系列安全隔離型LED驅(qū)動(dòng)器IC的最新成員

基于PowiGaN的LYT6078C IC集成了一個(gè)750V功率開(kāi)關(guān)，可提供高達(dá)90W的無(wú)閃爍輸出，同系列的其他器件可提供高達(dá)110W的無(wú)閃爍輸出。包括...

2020-09-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器功率開(kāi)關(guān)氮化鎵 2034 0

德州儀器：更少功耗，完成更多任務(wù)

我們當(dāng)前的環(huán)境與通過(guò)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的彼此之間的可訪問(wèn)性息息相關(guān)。想象一下你每天多么依賴筆記本電腦和智能手機(jī)，以及通過(guò)云服務(wù)器實(shí)現(xiàn)的視頻會(huì)議應(yīng)用。這些都需要更...

2020-09-22 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵云服務(wù)器 680 0

Power Integrations推出適合智能照明應(yīng)用的新款LYT6078C驅(qū)動(dòng)器IC

LYT6078C的性能優(yōu)勢(shì)在新的設(shè)計(jì)報(bào)告（DER-920）中得到了充分體現(xiàn)，該報(bào)告詳細(xì)介紹了使用PFC升壓級(jí)外加隔離反激拓?fù)浼?jí)的兩級(jí)可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)。

2020-09-19 標(biāo)簽：led驅(qū)動(dòng)器IC鎮(zhèn)流器 1235 1

燦光電將投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro

9月4日，聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告，將總投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產(chǎn)品。 公告顯示，聚燦光電...

2020-09-14 標(biāo)簽：led氮化鎵砷化鎵 2677 0

科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1188 0

投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 1.9萬(wàn) 1

安世半導(dǎo)體做客唯樣直播間！高產(chǎn)能巨無(wú)霸養(yǎng)成記首度公開(kāi)！

汽車、5G、工業(yè)及電源、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)可穿戴設(shè)備、消費(fèi)類電子、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域，世界上幾乎所有相關(guān)的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)都采用Nexperia的器件。

2020-08-10 標(biāo)簽：氮化鎵電子設(shè)計(jì)安世半導(dǎo)體 2752 0

5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報(bào)道，引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗，節(jié)約電費(fèi)，中國(guó)聯(lián)通在洛陽(yáng)某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽：電源氮化鎵功率密度 1.2萬(wàn) 0

解析連接器半導(dǎo)體材料之氮化鎵（GaN）篇

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)...

2020-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體連接器氮化鎵 3348 0

納微氮化鎵器件助力OPPO新一代快充

OPPO作為快充行業(yè)的先行者，一直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快充市場(chǎng)，最早期的VOOC閃充“充電五分鐘，通話兩小時(shí)”深入人心，演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125...

2020-07-31 標(biāo)簽：OPPO氮化鎵超級(jí)閃充 1338 0

賀利氏專家等你來(lái)撩，直播探討應(yīng)用于5G產(chǎn)品的SiP封裝材料

SIP WEBINAR 系統(tǒng)級(jí)封裝線上研討會(huì)第三期開(kāi)播在即，行業(yè)知名系統(tǒng)級(jí)封裝大會(huì)自2020年5月，推出第一期SiP Webinar以來(lái)便受到行業(yè)內(nèi)人士...

2020-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵5Gsip封裝 3916 0

Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ，拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產(chǎn)品組合

中國(guó) / 法國(guó)貝寧，2020年7月14日創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soite...

2020-07-14 標(biāo)簽：射頻氮化鎵5G 1369 0