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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

小米上架33W氮化鎵充電器套裝

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騰訊紅魔手機6將標(biāo)配120W氮化鎵充電器

騰訊紅魔游戲手機6將于3月4日正式發(fā)布,搭載高通驍龍888處理器,還可能是業(yè)界首款內(nèi)置風(fēng)扇的驍龍888旗艦游戲手機。

2021-02-22 標(biāo)簽:充電器氮化鎵騰訊 1663 0

努比亞發(fā)布首款65W三扣氮化鎵充電器

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2021-02-20 標(biāo)簽:充電器氮化鎵努比亞 2396 0

努比亞推出65W GaN Pro氮化鎵充電器 體積再減小40%

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納微半導(dǎo)體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世,全新額定電壓650V/800V的大功率

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中興通訊在其母國中國推出了一種新型的高速氮化鎵充電器

 新的中興通訊超快速充電器使用氮化鎵(GaN),因此,它比基于硅的類似規(guī)格快速充電器要小。這款65W充電器具有90°折疊銷,并帶有三個輸出端口–分別是2...

2021-02-18 標(biāo)簽:充電器usb氮化鎵 3237 0

三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8,107.43萬元

2月2日,三安光電發(fā)布公告稱,全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以下簡稱“湖南三安”)獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8,107.43萬元。 公告顯示,根據(jù)三安光電...

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納微半導(dǎo)體迅速擴張芯片出貨量創(chuàng)歷史新高

納微半導(dǎo)體正式宣布,其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄,已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障,反應(yīng)了全球移動消費電子市場正加速采用氮...

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小米上架55W氮化鎵GaN充電器

近日,小米上架了兩款充電器,一個是小米充電器120W秒充版,售價249元,另一個是小米氮化鎵GaN充電器55W,售價99元。兩款充電器均附送數(shù)據(jù)線。

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這里將建成國際前三的氮化鎵單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地

1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡稱“納維科技”)總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項目占地面積超14000平方米,總建筑面積超34000平方米...

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2021-01-27 標(biāo)簽:氮化鎵功率IC納微半導(dǎo)體 2082 0

納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地

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英諾賽科與ASML簽署合作協(xié)議

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2021-01-22 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵光刻機 1011 0

達摩院發(fā)布2021十大科技趨勢

隨著新型AI算法的迭代及算力的突破,AI將有效解決疫苗/藥物研發(fā)周期長、成本高等難題,例如提升化合物篩選、建立疾病模型、發(fā)現(xiàn)新靶點、先導(dǎo)化合物發(fā)現(xiàn)及先導(dǎo)...

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氮矽科技預(yù)計年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動芯片的快充產(chǎn)品

氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料,目前已經(jīng)在快充市場呈現(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。

2021-01-15 標(biāo)簽:芯片制造氮化鎵柵極驅(qū)動 1400 0

第三代半導(dǎo)體性價比優(yōu)勢日益凸顯 但規(guī)模商用尚需時日

? 近期,阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢,“第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出,第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市...

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紅魔 6 預(yù)熱:配備 4500mAh 電池,支持 120W 快充,送氮化鎵充電器

1 月 11 日消息 今天下午,紅魔手機手機發(fā)布了新品紅魔 6 的預(yù)熱信息,稱新品將配備 4500mAh 電池,支持 120W 快充,還送氮化鎵充電器。...

2021-01-11 標(biāo)簽:智能手機氮化鎵電池 3583 0

蘋果iPhone終于加入超級快充?

好像從我使用 iPhone 以來,蘋果給用戶附贈的就一直是祖?zhèn)鞯哪穷w5V1A超級慢充電源,好不容易 iPhone 11Pro 系列給升級成了 18W 快...

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半導(dǎo)體材料的演進情況

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與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,因此,其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、...

2021-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4162 0

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