納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場(chǎng)

氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以...

2022-05-05 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片GaN器件 2058 0

合粵固態(tài)電容概述、分類及優(yōu)缺點(diǎn)

氮化家是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...

2022-04-28 標(biāo)簽：充電器氮化鎵固態(tài)電容 2367 0

倍思發(fā)布全新“第五代”氮化鎵充電器 英諾賽科新推150W低壓氮化鎵

倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，支持PD3.1、QC4+、QC3.0等多種充電協(xié)議，并采用“2C1A”輸出接口，售價(jià)...

2022-04-22 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 5655 0

倍思發(fā)布160W氮化鎵充電器

昨日晚間，倍思召開了 2022 年春季新品發(fā)布會(huì)，帶來20余款新品，隨即倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，新品支持最新...

2022-04-19 標(biāo)簽：充電器氮化鎵倍思 2817 0

氮化鎵的十大關(guān)鍵要點(diǎn)

GaN 可為射頻應(yīng)用帶來獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。GaN 獨(dú)特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢(shì)和堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì)。

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻氮化鎵 1647 0

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里？

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...

2022-04-01 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 4937 0

納微半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾

氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管...

2022-03-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅功率芯片 1993 0

氮化鎵：相得益彰的高效解決方案覆蓋中功率應(yīng)用

近年來，氮化鎵開關(guān)非?；鸨?，PI的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開關(guān)，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開關(guān)。閻金光說，氮化鎵開關(guān)導(dǎo)通電阻低，比...

2022-03-29 標(biāo)簽：電源氮化鎵高效率 2311 0

POWI推出集成750V氮化鎵開關(guān)的高效準(zhǔn)諧振PFC IC

APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出內(nèi)部...

2022-03-22 標(biāo)簽：電容氮化鎵POWI 1524 0

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻技術(shù)

本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。

2022-03-17 標(biāo)簽：工藝氮化鎵刻蝕 1597 0

納微氮化鎵功率芯片進(jìn)入全新三星Galaxy S22系列45W旅行充電器

Navitas 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消費(fèi)者欣賞具有創(chuàng)新、性能和質(zhì)量卓越的領(lǐng)先技術(shù)。 “三星和納微在提供下一...

2022-03-15 標(biāo)簽：充電器氮化鎵功率芯片 1392 0

納微半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)發(fā)布，搭配120W氮化鎵神仙秒充，梅賽德斯F1手機(jī)震撼上市

納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊(duì)共...

2022-03-14 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1704 0

作為Fab-Liter戰(zhàn)略的一部份，安森美剝離晶圓制造廠

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標(biāo)是通過擴(kuò)大毛利率實(shí)現(xiàn)可持續(xù)...

2022-03-01 標(biāo)簽：安森美氮化鎵晶圓制造 831 0